类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：3.6V
　　最大齐纳电流：200mA
　　功率耗散：300mW
　　封装类型：SOD-123
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　引脚数：2
　　最大反向漏电流：100nA（在1V时）
　　最大齐纳阻抗：90Ω

LMSZ3V6T1G 齐纳二极管具有良好的电压稳定性和低动态阻抗，能够在负载变化时保持输出电压的稳定。其快速响应时间确保了在瞬态条件下仍能提供可靠的电压参考。该器件采用高可靠性的硅半导体技术制造，具有较长的使用寿命和稳定的电气性能。此外，SOD-123 封装使其适用于高密度 PCB 设计，节省空间并便于自动化生产。
　　该齐纳二极管还具备良好的温度稳定性，在宽温度范围内保持恒定的击穿电压，适合在恶劣环境中使用。由于其低漏电流特性，在关闭状态下对电路影响极小，适用于电池供电设备和低功耗系统。LMSZ3V6T1G 还具备过压保护功能，可用于保护敏感的电子元件免受电压浪涌的影响。

LMSZ3V6T1G 常用于电压参考、稳压电路、电源管理、电池充电器、微处理器复位电路和电压监测电路。它适用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。例如，在嵌入式系统中，它可以为 ADC 提供稳定的参考电压；在电源电路中，它可以作为过压保护元件；在传感器电路中，它可以用于提供稳定的偏置电压。

LMSZ3V6T1G 可以替代的型号包括 BZX84C3V6、MM3Z3V6T1、ZMM3V6 和 1N4727A。这些器件具有相似的电气特性和封装形式，适用于相同的电路应用。在选择替代型号时，应确保其电压精度、功率额定值和封装类型与原设计匹配。