时间：2025/8/15 7:12:53
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UJ3C065030K3S是一款由UnitedSiC（现属于Qorvo）制造的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）。这款器件基于先进的碳化硅技术，具有优异的导通和开关性能，适用于高效率、高功率密度的电力电子应用。UJ3C065030K3S采用双通道配置，每个通道都具备低导通电阻和快速开关能力，使其成为高频开关应用的理想选择。
类型：碳化硅FET
配置：双通道
漏源电压(VDS)：650V
连续漏极电流(ID)：30A
导通电阻(RDS(on))：65mΩ
封装类型：表面贴装
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电荷(Qg)：120nC
封装尺寸：12mm x 12mm
最大功率耗散：300W
UJ3C065030K3S碳化硅FET具有多项显著的性能优势。首先，其低导通电阻（65mΩ）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，碳化硅材料的宽禁带特性使得该器件在高温环境下依然能够保持稳定的性能，适用于恶劣工作条件。此外，UJ3C065030K3S的快速开关能力减少了开关损耗，使其非常适合用于高频开关拓扑结构，如LLC谐振转换器、图腾柱功率因数校正（PFC）电路等。该器件的双通道设计不仅节省了PCB空间，还提高了系统的集成度和可靠性。最后，其表面贴装封装便于自动化生产和高效散热管理，适用于高功率密度的设计需求。
UJ3C065030K3S广泛应用于各类高功率、高效率的电力电子系统中。典型应用包括高功率密度电源转换器、工业电机驱动、不间断电源（UPS）、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及高频DC-DC转换器。由于其优异的导通和开关性能，该器件特别适用于需要高频率运行和高效能转换的拓扑结构，如图腾柱PFC、LLC谐振转换器和同步整流器。此外，UJ3C065030K3S还适用于需要高可靠性和高效率的工业与消费类电源系统。
SiC3.650DA、UJ3C065050K3S、SiC3.650KA、C3M0065065K、C3M0075065J
