时间：2025/9/15 1:31:33
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PSMN2R0-30YLE 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高功率开关应用。该器件采用先进的 Trench 工艺技术，具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：150A
导通电阻 Rds(on)：2 mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：130W
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
PSMN2R0-30YLE 采用 Nexperia 的 LFPAK56 封装技术，该封装不仅具备优异的热管理和电流承载能力，还提供了出色的焊接可靠性和易于自动装配的特性。其超低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态负载条件下的稳定性与可靠性。内部结构优化设计减少了寄生电感，提高了高频开关性能，适用于高频率开关电源应用。
PSMN2R0-30YLE 还具备良好的栅极氧化层耐压能力，支持更高的栅极驱动电压，从而实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
该 MOSFET 常见于高功率密度电源系统中，如服务器电源、电信设备电源、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器以及负载开关电路等。其优异的热性能和高电流能力也使其成为汽车电子应用中的理想选择，例如车载充电器（OBC）和48V轻混系统中的功率转换模块。
PSMN1R8-30PL；IRF6753；SiZ104DT；IPB015N04NG
