工作频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：典型值 50 W（连续波）
　　漏极电压：65 V
　　漏极电流：典型值 200 mA
　　增益：20 dB（典型值）
　　效率：典型值 65%
　　输入驻波比（VSWR）：≤ 2.5:1
　　封装类型：陶瓷封装
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

RF5603H50PCK-410 采用先进的 GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅基板上）技术制造，具有优异的热管理和高功率密度能力。其高击穿电压特性使得该器件在高压环境下仍能稳定工作。此外，该晶体管的高增益和高效率使其非常适合用于需要高线性度和高输出功率的应用场景。RF5603H50PCK-410 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持出色的性能，适用于恶劣环境下的工业和军事应用。
　　该器件的封装设计优化了射频性能和散热能力，确保在高功率操作时仍能保持较低的结温。此外，RF5603H50PCK-410 具有良好的输入匹配特性，减少了外部匹配元件的需求，简化了设计流程。其高耐用性和可靠性使其成为现代通信系统中理想的功率放大器解决方案。
　　RF5603H50PCK-410 在设计时考虑了广泛的频率覆盖能力，使其能够适应多种通信标准和应用需求。同时，该器件的高效率特性有助于降低整体系统的能耗，提升系统的能效表现。

RF5603H50PCK-410 主要用于高性能射频功率放大器的设计，广泛应用于无线通信基站、雷达系统、卫星通信、测试与测量设备以及工业和医疗射频设备中。其高频段工作能力使其特别适合用于 2.3 GHz 至 2.7 GHz 频段的 5G 基站、WiMAX 基站和 LTE 宏基站等应用。此外，该晶体管也可用于军用通信设备和电子战系统，提供高可靠性和高功率输出。在工业领域，RF5603H50PCK-410 可用于射频能量应用，如射频加热和等离子体发生器等，提供高效的能量传输解决方案。

CGH40050F, LDMOS晶体管NPTL9235-50-FH