TGA8399C 是一款由美国制造商 Teledyne Microwave Solutions 设计和生产的 GaAs(砷化镓)场效应晶体管(FET),专为高功率射频(RF)放大器应用而设计。该器件在高频范围内提供高线性度和高输出功率,适用于通信系统、雷达、测试设备和工业应用中的射频功率放大。TGA8399C 采用气密封装,具备良好的热稳定性和机械稳定性,适用于苛刻的环境条件。
工作频率:2.7 GHz - 3.5 GHz
输出功率:典型值为 100 W(脉冲)
增益:约 14 dB
漏极效率:约 55%
工作电压:28 V
封装类型:陶瓷金属封装(气密封装)
输入和输出阻抗:50 Ω
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
TGA8399C 是一款高性能 GaAs FET 功率晶体管,具有出色的线性度和高输出功率能力,非常适合用于高线性要求的射频系统中。其高增益和高效率特性使其成为雷达和通信设备中的理想选择。该器件在设计上优化了热管理和高频性能,确保在高功率操作下仍能保持稳定。此外,TGA8399C 的气密封装提供了优异的环境适应能力,使其能够在极端温度和湿度条件下可靠运行。
该器件的工作频率范围为 2.7 GHz 至 3.5 GHz,适合用于 L 波段和 S 波段的应用。其漏极效率高达 55%,有助于减少系统功耗和散热需求,从而提高整体系统效率。此外,该器件的高输入和输出阻抗匹配(50 Ω)简化了外围电路的设计,并减少了匹配网络的复杂性。
TGA8399C 在脉冲工作模式下可提供高达 100 W 的输出功率,这使其成为脉冲雷达和高功率通信系统的理想选择。此外,该晶体管的高稳定性设计确保了在各种工作条件下都能保持一致的性能,适用于需要高可靠性和长寿命的应用场景。
TGA8399C 主要用于高频射频功率放大器的设计,适用于雷达系统、通信基站、测试与测量设备、工业射频加热系统以及军事和航空航天领域的高功率电子设备。由于其出色的线性度和高效率,该器件也常用于需要高功率输出和高稳定性的商业和工业应用中。
TGA8398C, TGA8397C