时间：2025/8/15 10:12:27
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UJ3C065030B3 是 UnitedSiC（现属于Qorvo）生产的一款高性能碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET），基于其独特的共源共栅（cascode）结构设计，结合了低压氮化镓（GaN）晶体管与高压碳化硅技术的优势。该器件具备出色的导通和开关性能，适用于高效率、高频率和高功率密度的电力电子系统。UJ3C065030B3 的设计旨在替代传统硅基 MOSFET 和 IGBT，提供更低的开关损耗和更高的工作频率能力。
类型：碳化硅功率FET
拓扑结构：共源共栅（Cascode）
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：30A（在25°C下）
导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
栅极电荷（Qg）：典型值为 22nC
短路耐受能力：支持短时过载保护
封装尺寸：符合标准TO-247封装
UJ3C065030B3 的核心优势在于其基于碳化硅的共源共栅结构所带来的优异性能。该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)），确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗。此外，由于其宽禁带半导体材料的特性，UJ3C065030B3 能在更高温度下稳定工作，并具备更强的热稳定性与可靠性。该器件的开关性能优越，能够显著降低高频应用中的开关损耗，从而提升整体系统效率。
该FET的栅极驱动兼容标准硅基MOSFET，简化了驱动电路设计，并降低了系统的复杂性。此外，UJ3C065030B3 具有出色的短路保护能力和抗雪崩能力，适用于严苛的工业和汽车应用环境。其TO-247封装形式便于散热管理，适合在高功率密度电源转换系统中使用。
UJ3C065030B3 主要用于需要高效率、高频率和高可靠性的功率转换系统中。典型应用包括但不限于：工业级电源转换器、服务器电源、电动汽车充电系统、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器和高密度DC-DC转换模块。在这些应用中，该器件能够显著提升系统效率，降低冷却需求，并缩小整体系统体积，满足对能效和空间优化的双重需求。
SiC12400, SCT3045AL, UJ3C065050K3S, UJ3C065050B7
