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SLA913FFOR 发布时间 时间:2025/11/7 12:34:22 查看 阅读:8

SLA913FFOR是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的高压栅极驱动IC,专为驱动高侧N沟道MOSFET或IGBT而设计,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及照明镇流器等功率电子系统中。该器件采用自举电路技术,能够在高侧浮动电源供电条件下正常工作,支持高达500V甚至更高的电压应用环境。SLA913FFOR具备出色的噪声抑制能力和快速的开关响应特性,适合在高频开关条件下稳定运行。其内部集成了电平移位电路和低侧与高侧驱动通道,能够有效实现逻辑信号到高电压驱动信号的转换。该芯片通常采用SOIC-8或类似的小型化封装形式,便于在紧凑型PCB布局中使用,并具备良好的散热性能和可靠性。此外,SLA913FFOR还内置了多种保护机制,如欠压锁定(UVLO)、匹配的传播延迟以及互锁功能,防止上下桥臂直通短路,从而提升整个功率系统的安全性和稳定性。

参数

类型:高压栅极驱动器
  通道类型:半桥驱动器
  输出类型:图腾柱
  供电电压(VDD):10V ~ 20V
  峰值输出电流:250mA(典型值)
  输入逻辑类型:CMOS/TTL兼容
  工作频率:最高可达100kHz以上
  高侧偏置电压(VB-VS):最大+500V
  低侧接地电压(VS-GND):最小-5V
  传播延迟时间:典型值约200ns
  上升时间(tr):典型值15ns(1000pF负载)
  下降时间(tf):典型值10ns(1000pF负载)
  共模瞬态抗扰度(CMTI):≥50kV/μs
  工作温度范围:-40°C ~ +150°C
  封装类型:SOIC-8

特性

SLA913FFOR的核心特性之一是其高电压集成能力,使其适用于高达500V的高侧浮动电源应用。它采用先进的电平移位技术,能够在高dv/dt环境下保持稳定的信号传输,确保即使在快速电压变化的情况下也能准确传递控制信号,避免误触发或逻辑错误。这种高共模瞬态抗扰度(CMTI)特性对于在高噪声工业环境中运行的设备尤为重要。
  另一个关键优势是其优化的驱动输出结构,采用了图腾柱输出级设计,提供快速的上升和下降时间,有助于减少MOSFET的开关损耗,提高整体能效。同时,250mA的峰值输出电流足以驱动大多数中小功率的MOSFET和IGBT,满足多种应用场景的需求。
  该器件具备完善的欠压锁定(UVLO)保护机制,当电源电压低于设定阈值时会自动关闭输出,防止因供电不足导致的器件异常导通或损坏。高侧和低侧驱动通道之间的匹配传播延迟设计,可最大限度地减少死区时间误差,提升PWM控制精度。此外,内部集成的互锁逻辑功能可以有效防止上下管同时导通,避免桥臂短路事故的发生,显著增强系统的可靠性。
  SLA913FFOR还具有宽泛的工作温度范围(-40°C至+150°C),适用于恶劣的工业和汽车级环境。其SOIC-8封装不仅节省空间,而且引脚间距适中,便于自动化贴装和焊接,提升了生产效率。总体而言,SLA913FFOR是一款高性能、高可靠性的半桥栅极驱动器,适用于对效率、稳定性和安全性要求较高的功率转换系统。

应用

SLA913FFOR广泛应用于各类需要高效驱动高侧N沟道MOSFET的电力电子拓扑结构中。最典型的应用场景包括开关模式电源(SMPS),特别是在反激式、正激式和LLC谐振转换器中作为主控驱动芯片使用,用于控制初级侧的功率开关器件。此外,在DC-DC升压、降压以及升降压变换器中,该芯片也常被用作半桥或同步整流驱动单元的核心元件,以提高转换效率并降低功耗。
  在电机驱动领域,SLA913FFOR可用于三相逆变器中的上下桥臂驱动,配合微控制器产生精确的PWM信号,实现对交流感应电机或永磁同步电机的有效控制。这类应用常见于家用电器(如变频空调、洗衣机)、电动工具及轻型电动车控制系统中。
  照明系统也是其重要应用方向之一,例如冷阴极荧光灯(CCFL)或LED背光驱动电路中,SLA913FFOR可用于驱动高频逆变器部分,确保灯管稳定点亮且无闪烁现象。此外,在工业自动化设备、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及充电桩等高可靠性要求的场合,该器件凭借其优异的噪声抑制能力和热稳定性,表现出色。
  由于其TTL/CMOS兼容输入接口,SLA913FFOR可以直接连接数字控制器(如DSP、MCU或FPGA)的PWM输出引脚,无需额外电平转换电路,简化了系统设计复杂度。因此,无论是消费类电子产品还是工业级电源模块,SLA913FFOR都是一种成熟可靠的栅极驱动解决方案。

替代型号

[
   "SLA913F-D",
   "NCP5113FDR2G",
   "IRS2113STRPBF",
   "FAN7382XK",
   "MIC5018YM"
  ]

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