时间：2025/9/14 7:06:33
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PMN28UNEX 是一款由 STMicroelectronics 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽栅技术，具备低导通电阻和高可靠性。该器件广泛用于负载开关、电源管理和电池供电设备等领域。PMN28UNEX 的封装形式为 TSOP（薄型小外形封装），具有紧凑的尺寸和良好的热性能。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20 V
最大栅源电压（VGS）：±12 V
最大连续漏极电流（ID）：-4.1 A（在 VGS = -4.5 V 时）
导通电阻（RDS(on)）：35 mΩ（最大值，VGS = -4.5 V）
导通电阻（RDS(on)）：50 mΩ（最大值，VGS = -2.5 V）
功耗（PD）：1.6 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP
引脚数：8
PMN28UNEX 具备多项优良特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽栅技术，有助于降低开关损耗并提高器件的稳定性和可靠性。
此外，PMN28UNEX 的栅极驱动电压范围较宽，支持在较低电压（如 2.5V）下运行，适用于多种数字控制和低压电源管理系统。该器件的封装设计（TSOP）具有良好的热管理性能，能够在紧凑的空间中实现高效散热。
该 MOSFET 还具备出色的抗静电（ESD）能力和较高的热稳定性，适合在工业环境和便携式电子设备中使用。此外，其工作温度范围宽广（-55°C 至 150°C），能够适应严苛的工作条件。
PMN28UNEX 主要用于需要高效功率管理的场合。例如，在便携式电子产品中，它可以作为负载开关或电源管理模块的一部分，用于控制电池供电系统的开启与关闭，从而延长电池寿命并提高能效。此外，该器件也适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、马达驱动电路以及各类低电压功率开关应用。
在工业自动化和通信设备中，PMN28UNEX 可用于电源分配系统、负载保护电路以及高可靠性电源管理单元。其低导通电阻和良好的热管理能力，使其在高密度 PCB 设计中具有明显优势。同时，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、车灯控制模块等应用场景。
Si2301DS, FDN340P, AO4403, NTR4182P
