类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110A（在Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-247
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5.5mΩ（在Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：220nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：3300pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：60ns（典型值）

SKT110F08DTH1具备多项高性能特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提升系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式结构设计，有助于减少开关损耗并提升热稳定性，适合高频开关应用。此外，该MOSFET具备较高的电流密度和优异的热传导性能，使其在高温环境下依然能够稳定运行。
　　在封装方面，TO-247封装提供了良好的散热性能和机械强度，便于安装在散热片上，适用于高功率密度设计。该器件还内置了快速恢复二极管（FRD），在反向恢复过程中表现出较低的损耗和更短的恢复时间，提升了系统在高频工作的稳定性。
　　此外，SKT110F08DTH1的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至15V的栅极驱动电压，增强了其在不同驱动电路中的适应性。该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计需求。

SKT110F08DTH1广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、工业电机驱动器以及太阳能逆变器等。由于其优异的导通和开关性能，特别适合需要高效率、高稳定性和高集成度的现代电源管理系统。
　　此外，该MOSFET也常用于服务器电源、通信设备电源模块以及高功率LED驱动器中，满足高可靠性与高性能的设计要求。在汽车电子领域，SKT110F08DTH1可用于车载充电器、动力转向系统、车载逆变器等关键功率控制电路。

TKA110F08D, IRF1405, SiR178DP, SKT110F08DTH1-BE-GE3