SI7202-B-04-IB 是一款由 Siliconix(现为 Vishay 公司旗下品牌)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及其他功率管理应用。其封装形式为 SO-8(DB-8),具有出色的热性能和电气性能。
这款 MOSFET 的设计目标是提供卓越的导通性能和快速的开关速度,同时保持较高的可靠性和耐用性。其典型应用场景包括笔记本电脑适配器、消费类电子设备中的电源管理模块以及工业控制中的高效能转换电路。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:16A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷:39nC
输入电容:2500pF
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:SO-8(DB-8)
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗并提升系统效率。
2. 快速的开关速度,减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品需求。
5. 采用 Vishay 的 TrenchFET? 第三代技术,确保高性能与可靠性。
6. 宽温度范围支持,适应多种恶劣环境下的应用。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动电路
4. 负载开关
5. 电池管理系统
6. 消费类电子产品的电源管理
7. 工业自动化中的功率控制模块
SI7202DP, SI7203DP, IRF7725