时间：2025/10/6 18:22:50
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UHW1V182MHD是一款由松下（Panasonic）生产的高性能多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于松下UHW系列，专为在高电压、高温和高可靠性要求的应用中提供稳定的电容性能而设计。UHW1V182MHD的标称电容值为1800pF（即1.8nF），额定电压为35V DC，电容容差为±20%（代号M），采用EIA标准0805封装尺寸（公制2012），非常适合用于空间受限但对电气性能要求较高的电路设计中。该电容器采用先进的陶瓷介质材料和制造工艺，具备优异的温度稳定性、低等效串联电阻（ESR）和良好的高频响应特性。其工作温度范围通常为-55°C至+125°C，能够适应严苛的工业和汽车级环境。UHW1V182MHD广泛应用于电源管理电路、射频（RF）模块、DC-DC转换器、滤波电路以及各类便携式电子设备中。由于其高可靠性和长期稳定性，该型号也常被用于需要符合AEC-Q200标准的汽车电子系统中。此外，该器件为无铅产品，符合RoHS和REACH环保指令，支持回流焊工艺，便于自动化贴装生产。
电容值：1800pF
容差：±20%
额定电压：35V DC
温度特性：X7R
封装尺寸：0805（2012）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
介质材料：陶瓷
电极材料：镍/锡镀层
产品系列：UHW
安装类型：表面贴装（SMD）
尺寸（长×宽×高）：2.0mm × 1.25mm × 1.25mm
最大厚度：1.25mm
端接类型：三层电极（Ni/Sn）
电容频率特性：典型1MHz测试
绝缘电阻：≥50Ω·μF或1000MΩ（取较大值）
时间寿命：>10,000小时（高温负载测试）
UHW1V182MHD具有卓越的电性能稳定性和机械可靠性，其核心特性之一是采用了X7R型陶瓷介质材料，该材料在-55°C至+125°C的宽温度范围内能够保持电容值变化不超过±15%，远优于一般Y5V等介质材料，适用于对温度稳定性要求较高的应用场景。该电容器在额定电压下的电容衰减较小，即使在接近最大工作电压时仍能维持较高的有效电容，这对于电源去耦和滤波电路至关重要。其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其在高频工作条件下表现出色，可有效抑制噪声并提升电路效率。此外，该器件经过严格的耐久性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、热冲击和寿命试验，确保在恶劣环境下长期稳定运行。
在结构设计方面，UHW1V182MHD采用优化的内部电极叠层技术，增强了抗机械应力能力，降低了因PCB弯曲或热胀冷缩引起的开裂风险。其三层端子电极（铜镍锡）提供了良好的焊接可靠性和耐腐蚀性，适合无铅回流焊工艺，满足现代绿色制造需求。该电容器还具备优异的自愈特性，在局部介质缺陷情况下不易发生短路失效，提高了整体系统的安全性。由于其小型化封装与高性能的结合，UHW1V182MHD特别适用于高密度贴装的消费类电子产品、通信设备和车载电子模块。松下对该系列产品的严格品控流程确保了批次间的一致性和高良率，降低了客户在量产中的质量风险。
UHW1V182MHD多层陶瓷电容器广泛应用于多个高要求电子领域。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器的输入输出滤波，有效平滑电压波动并降低纹波噪声，提升电源效率。在射频（RF）电路中，该电容器可用于阻抗匹配网络、LC谐振回路和旁路电路，凭借其稳定的电容值和低损耗特性，有助于维持信号完整性并减少相位失真。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，UHW1V182MHD因其小尺寸和高可靠性成为理想的去耦电容选择，用于为处理器、传感器和无线模块提供稳定的局部供电。此外，在汽车电子系统中，该器件可用于车身控制模块、信息娱乐系统、ADAS传感器单元等，满足AEC-Q200对被动元件的可靠性要求。工业控制设备、医疗仪器和通信基站也常采用此类高性能MLCC，以确保系统在复杂电磁环境和宽温条件下的稳定运行。其环保合规性还使其适用于出口导向型电子产品，符合全球市场准入标准。
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"GRM21BR71V182KA01L",
"C2012X7R1V182K",
"CL21A182MJHNNNE",
"MC0805ME35W182M",
"CC0805ZRY71V182M"
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