型号：PC28F256P30TF
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：256 Mbit (32 MB)
　　组织结构：16位数据总线
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　读取电流：典型值 90mA
　　编程/擦除电流：典型值 70mA
　　待机电流：最大 100μA
　　访问时间：70ns / 90ns 可选
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：56-pin TSOP
　　接口类型：CE#, OE#, WE#, BYTE#
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
　　擦除方式：扇区擦除、块擦除、整片擦除
　　写保护功能：硬件WP#引脚支持

PC28F256P30TF具备多项关键技术特性，使其在嵌入式非易失性存储领域中表现出色。首先，该芯片采用了Intel专有的StrataFlash MLC技术，通过在每个存储单元中存储多个数据位，实现了比传统NOR闪存更高的存储密度，同时保持了NOR架构的优势，如随机访问能力和快速读取性能。这使得它特别适合用于需要直接从闪存中执行代码的应用场景，例如固件存储、BIOS保存和实时操作系统引导。其次，该器件支持页编程（Page Programming）和多种擦除模式（包括扇区、块和整片擦除），允许用户灵活管理数据更新与空间回收，提升了系统软件设计的自由度。
　　此外，PC28F256P30TF集成了智能电源管理机制，包含多种低功耗操作模式，如自动待机和深度掉电模式，有效降低系统整体能耗，尤其适用于便携式或远程部署的设备。其内部电荷泵设计可在编程和擦除过程中自动生成所需的高电压，无需外部提供编程电压，简化了电源设计并减少了外围元件数量。
　　在可靠性方面，该芯片支持硬件写保护（通过WP#引脚）和软件写保护命令，防止关键数据被意外修改或删除。同时，它具备较强的抗干扰能力与长期数据保持能力（通常可达10年以上），并支持至少10万次的擦写寿命，满足大多数工业和通信应用的需求。最后，其标准的异步SRAM兼容接口便于与各类微控制器、DSP和ASIC无缝连接，缩短开发周期并提升系统集成效率。

PC28F256P30TF广泛应用于对可靠性、稳定性和代码执行性能有较高要求的嵌入式系统中。在通信基础设施领域，它常被用作路由器、交换机和基站控制器中的固件存储器，用于存放启动代码、操作系统映像和配置参数，支持快速启动和现场升级（Firmware Over-The-Air Update）。在工业自动化设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块，该芯片用于存储控制程序和校准数据，确保设备在断电后仍能保留关键信息。车载电子系统也大量采用此类NOR Flash，例如车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制单元和ADAS（高级驾驶辅助系统）模块，用于存储启动引导程序和安全相关的固件。
　　此外，在医疗设备、测试测量仪器和网络存储设备中，PC28F256P30TF因其高可靠性与宽温工作能力而成为首选存储方案之一。其XIP（就地执行）特性允许处理器直接从闪存中运行代码，无需将程序加载到RAM，节省了内存资源并加快了系统响应速度。对于需要频繁进行固件升级但又不能牺牲稳定性的应用场景，该芯片提供的扇区保护和渐进式擦写功能尤为重要。即使在恶劣的电磁环境或温度波动较大的条件下，其TSOP封装和工业级认证也能保障长期稳定运行。因此，尽管新型串行NOR和NAND闪存在成本和密度上更具优势，PC28F256P30TF仍在需要高性能并行接口和高可信度的中高端嵌入式市场中占据重要地位。

MT28EW256ABA1LJS-0SIT
　　S29GL256S11TF1010
　　S29GL256P11TF1010