时间：2025/7/2 0:02:20
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DMGD7N45SSD 是一款 N 治道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Diodes 公司生产。这款器件采用了 DPAK 封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。
其主要特点是低导通电阻和高耐压能力，能够满足多种工业及消费类电子产品的应用需求。
最大漏源电压：450V
连续漏极电流：7A
导通电阻：3.2Ω
栅极阈值电压：4V
总功耗：210W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
DMGD7N45SSD 提供了出色的电气性能和可靠性。
首先，它的漏源电压高达 450V，使得它适用于高压场景。
其次，该 MOSFET 的导通电阻仅为 3.2Ω，在同类型产品中表现优异，有助于降低功率损耗并提高效率。
此外，DMGD7N45SSD 的封装设计紧凑且易于安装，能够在有限的空间内提供高效的电力传输。
DPAK 封装形式进一步增强了散热性能，确保在高温环境下仍能稳定运行。
DMGD7N45SSD 可用于各种需要高效功率切换的应用领域。
例如，在开关电源（SMPS）中作为主开关管使用，可显著提升转换效率。
在电机驱动电路中，它可以用作逆变器或斩波器的核心组件，控制电机的转速与方向。
此外，DMGD7N45SSD 还适合用作负载开关或保护电路中的关键元件，以保障系统的安全性和稳定性。
DMG7N45SDD, IRF7413, STP7NK60Z
