DMGD7N45SSD 是一款 N 治道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Diodes 公司生产。这款器件采用了 DPAK 封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。
其主要特点是低导通电阻和高耐压能力,能够满足多种工业及消费类电子产品的应用需求。
最大漏源电压:450V
连续漏极电流:7A
导通电阻:3.2Ω
栅极阈值电压:4V
总功耗:210W
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
DMGD7N45SSD 提供了出色的电气性能和可靠性。
首先,它的漏源电压高达 450V,使得它适用于高压场景。
其次,该 MOSFET 的导通电阻仅为 3.2Ω,在同类型产品中表现优异,有助于降低功率损耗并提高效率。
此外,DMGD7N45SSD 的封装设计紧凑且易于安装,能够在有限的空间内提供高效的电力传输。
DPAK 封装形式进一步增强了散热性能,确保在高温环境下仍能稳定运行。
DMGD7N45SSD 可用于各种需要高效功率切换的应用领域。
例如,在开关电源(SMPS)中作为主开关管使用,可显著提升转换效率。
在电机驱动电路中,它可以用作逆变器或斩波器的核心组件,控制电机的转速与方向。
此外,DMGD7N45SSD 还适合用作负载开关或保护电路中的关键元件,以保障系统的安全性和稳定性。
DMG7N45SDD, IRF7413, STP7NK60Z