UGS02A12T3V3是一种高性能的功率MOSFET芯片,通常用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低能耗。
该芯片属于N沟道增强型场效应晶体管,适用于中高电压场景下的电流控制与切换操作。其封装形式多样,能够满足不同应用场景的需求。
型号:UGS02A12T3V3
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):3.0Ω
总功耗(Ptot):180W
工作温度范围(Tj):-55℃至+175℃
UGS02A12T3V3的主要特性包括:
1. 高电压耐受能力:最大漏源电压高达650V,适合高压应用环境。
2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为3.0Ω,有助于减少导通损耗。
3. 快速开关性能:具备低栅极电荷和快速开关速度,有效降低开关损耗。
4. 热稳定性强:能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。
5. 高可靠性设计:通过严格的质量测试和可靠性验证,确保长期稳定运行。
6. 小型化封装:支持多种紧凑型封装形式,便于在空间受限的应用中使用。
UGS02A12T3V3广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管,用于提高电源转换效率。
2. DC-DC转换器:实现高效直流电压变换。
3. 电机驱动:控制电机的启动、停止和速度调节。
4. 电池管理系统(BMS):保护电池免受过充、过放等异常情况的影响。
5. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)和变频器中的功率控制模块。
6. 汽车电子:包括车载充电器、LED照明驱动以及电动助力转向系统(EPS)。
IRFP460N
STW14NM65
FQP17N65C
IXYS: IXGH65N120T2