电容值：68000 pF (68 nF)
　　额定电压：50 V
　　温度系数：X7R
　　容差：±5%
　　封装尺寸：1210 (3225 metric)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　ESR（等效串联电阻）：低
　　绝缘电阻：10,000 MΩ 最小
　　介电材料：陶瓷

MOS2CT52R683J 多层陶瓷电容器采用先进的陶瓷介质和电极层叠技术，具有优异的电气性能和机械稳定性。其X7R温度系数确保了在宽温度范围内电容值的稳定性，适用于对温度变化敏感的应用场景。
　　该电容器的表面贴装封装（1210）使其易于集成到现代PCB设计中，同时降低了电路板空间占用。其低ESR特性有助于减少高频应用中的功率损耗，提高系统的整体效率。
　　此外，MOS2CT52R683J 具有良好的耐湿性和耐热性，能够在恶劣环境中稳定工作。其高绝缘电阻和低漏电流特性使其适用于高精度模拟电路和电源管理电路。

MOS2CT52R683J 主要用于以下类型的电子设备和系统中：
　　- 电源管理电路中的去耦和滤波电容
　　- 高频开关电源和DC-DC转换器中的旁路电容
　　- 工业自动化控制系统中的信号处理电路
　　- 消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源滤波和去耦应用
　　- 汽车电子系统（如车载信息娱乐系统、电池管理系统）
　　- 通信设备中的射频（RF）滤波和耦合电路
　　由于其优异的电气性能和稳定性，MOS2CT52R683J 也常用于要求高可靠性的航空航天和军事电子系统中。

TDK C3225X7R2E683K160AC
　　Murata GRM32ER61H683KA88K
　　Kemet C0805X7R2E683KRACTU
　　Vishay VJ1210Y683KXAC