ZXM66P02N8TA是一款由Diodes公司生产的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-252(DPAK)封装形式,适用于需要高效率和低功耗的开关应用。ZXM66P02N8TA具有出色的电气特性和可靠性,适合用于工业、消费电子以及汽车领域中的电源管理电路。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,其工作电压范围宽广,能够在高电压环境下稳定运行。同时,它还具备较低的导通电阻(Rds(on)),能够减少功率损耗并提高整体系统效率。
最大漏源极电压:80V
最大连续漏极电流:6.4A
导通电阻(Rds(on)):170mΩ
栅极-源极电压(Vgs):±20V
总功耗:1.3W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装类型:TO-252(DPAK)
结温:175℃
ZXM66P02N8TA的主要特点是其高压性能与较低的导通电阻相结合,这使得它非常适合于需要高效功率转换的应用场景。
1. 高击穿电压(80V)确保了该器件在高压环境下的稳定性。
2. 极低的导通电阻(170mΩ@Vgs=10V)有效减少了传导损耗,从而提升了系统的整体效率。
3. 宽广的工作温度范围(-55℃至+175℃)使该器件能够适应各种极端条件。
4. 小型化的TO-252封装有助于节省PCB空间,并且提供了良好的散热性能。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计,满足现代电子产品对绿色环保的要求。
由于其优异的电气特性和封装优势,ZXM66P02N8TA广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器:用作同步整流或降压/升压转换中的开关元件。
3. 电机驱动:用于小型直流电机控制。
4. 背光驱动:为LED背光提供高效的驱动方案。
5. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)、继电器驱动等。
6. 汽车电子:适用于车身控制模块、照明系统以及其他车载电子设备中。
ZXM66P02N8T4
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