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ZXM66P02N8TA 发布时间 时间:2025/6/4 17:52:59 查看 阅读:7

ZXM66P02N8TA是一款由Diodes公司生产的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-252(DPAK)封装形式,适用于需要高效率和低功耗的开关应用。ZXM66P02N8TA具有出色的电气特性和可靠性,适合用于工业、消费电子以及汽车领域中的电源管理电路。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,其工作电压范围宽广,能够在高电压环境下稳定运行。同时,它还具备较低的导通电阻(Rds(on)),能够减少功率损耗并提高整体系统效率。

参数

最大漏源极电压:80V
  最大连续漏极电流:6.4A
  导通电阻(Rds(on)):170mΩ
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  总功耗:1.3W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装类型:TO-252(DPAK)
  结温:175℃

特性

ZXM66P02N8TA的主要特点是其高压性能与较低的导通电阻相结合,这使得它非常适合于需要高效功率转换的应用场景。
  1. 高击穿电压(80V)确保了该器件在高压环境下的稳定性。
  2. 极低的导通电阻(170mΩ@Vgs=10V)有效减少了传导损耗,从而提升了系统的整体效率。
  3. 宽广的工作温度范围(-55℃至+175℃)使该器件能够适应各种极端条件。
  4. 小型化的TO-252封装有助于节省PCB空间,并且提供了良好的散热性能。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计,满足现代电子产品对绿色环保的要求。

应用

由于其优异的电气特性和封装优势,ZXM66P02N8TA广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器:用作同步整流或降压/升压转换中的开关元件。
  3. 电机驱动:用于小型直流电机控制。
  4. 背光驱动:为LED背光提供高效的驱动方案。
  5. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)、继电器驱动等。
  6. 汽车电子:适用于车身控制模块、照明系统以及其他车载电子设备中。

替代型号

ZXM66P02N8T4
  ZXM66P02N8TAH

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ZXM66P02N8TA参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 3.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2068pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.56W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXM66P02N8TR