时间：2025/6/11 17:59:02
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CRSM060N06L2是一款基于氮化镓（GaN）技术的增强型功率晶体管。该器件采用先进的GaN-on-Silicon工艺制造，具有高效率、高频开关和低导通电阻的特点，适合用于高频DC-DC转换器、电源适配器、无线充电和其他功率转换应用。
这款晶体管通过优化设计实现了极低的导通电阻和栅极电荷，从而显著降低了传导损耗和开关损耗，提高了整体系统效率。
型号：CRSM060N06L2
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压(Vds)：600V
最大连续漏电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：140mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.5V~4.5V
总栅极电荷(Qg)：35nC
反向恢复时间(trr)：典型值<50ns
工作温度范围：-55°C to +150°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
CRSM060N06L2的核心优势在于其采用了高性能的氮化镓材料，这使得它具备以下特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗。
2. 高频率开关能力，适用于高频电路设计，减少磁性元件体积。
3. 快速的开关速度，进一步减少了开关损耗。
4. 更小的封装尺寸，有助于实现紧凑型设计。
5. 耐高温性能强，能够在恶劣环境下稳定运行。
此外，与传统硅基MOSFET相比，CRSM060N06L2在相同规格下表现出更高的效率和更低的热耗散。
CRSM060N06L2广泛应用于需要高效功率转换的领域，包括但不限于：
1. 高效DC-DC转换器设计。
2. 消费类电子产品中的快速充电器和适配器。
3. 无线充电系统的功率传输模块。
4. 工业设备中的高频逆变器。
5. LED驱动器和其他需要高效率、高频工作的场景。
CRSM060N06L3
CRSM060N06L4
