时间：2025/3/26 16:42:50
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UGF30G是一款基于硅技术制造的高压功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高电压和高效率场景中。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合在电源管理、电机驱动以及各类工业应用中使用。
UGF30G采用了先进的封装设计，能够有效提高散热性能并降低寄生电感，从而提升整体系统效率和可靠性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.2Ω
栅极-源极电压：±20V
功耗：25W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
1. 高耐压能力，可承受高达600V的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻设计，有助于减少功率损耗并提高能效。
3. 快速开关速度，支持高频工作模式，适合开关电源和DC-DC转换器等应用。
4. 先进的热管理设计，确保在高负载条件下的稳定运行。
5. 强大的抗静电能力（ESD保护），提高了产品的可靠性和耐用性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计，满足现代电子行业的环保要求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器和逆变器电路中的高频开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 照明系统中的镇流器和调光控制器。
6. 电池充电器和其他需要高效率功率转换的应用场景。
IRF840, STP30NF60, FDP18N60
