时间：2025/5/9 9:08:54
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FDN304PZ 是一款由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小外形晶体管封装（SOT-23），具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于便携式设备、电池管理、负载开关等应用领域。
FDN304PZ 的设计使其在低压条件下表现出色，适合用于需要高效率和小型化的电路中。其低 Qg 和 Rds(on) 参数可以显著降低功耗并提高系统性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：410mA
栅极电荷：5nC
导通电阻：1.7Ω
工作结温范围：-55℃至150℃
封装类型：SOT-23
1. 高效的低导通电阻设计，有助于减少功率损耗。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 小尺寸 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 支持宽范围的工作温度，确保在各种环境下稳定运行。
5. 静电放电 (ESD) 防护功能提升了器件的可靠性。
1. 手机和便携式电子设备中的电源管理。
2. 负载开关和逻辑电平转换。
3. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
4. 电池保护和充电控制电路。
5. 数据通信接口保护和信号调节。
BSS123, FDN306P, PMV40UN
