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WSI57C71C-70T 发布时间 时间:2025/8/21 1:43:12 查看 阅读:15

WSI57C71C-70T 是由 Winbond 公司生产的一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用高速 CMOS 技术制造,提供高速访问时间和低功耗特性,适用于需要快速数据存储和访问的应用场合。该 SRAM 芯片采用标准的异步接口,容量为 1Mbit(128K x 8),工作电压为 3.3V,适用于各种工业和商业应用。WSI57C71C-70T 的封装形式为 54-TSOP,适用于空间受限的设计环境。

参数

容量:128K x 8
  电压:3.3V
  封装类型:54-TSOP
  访问时间:70ns
  接口类型:异步
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
  组织结构:128K x 8 位
  封装尺寸:约 20.8mm x 14.5mm
  最大工作频率:约 14.3MHz
  功耗(典型值):约 150mA(工作模式)

特性

WSI57C71C-70T 是一款高性能的异步 SRAM,具有高速访问时间(70ns)和低功耗特性。该芯片在待机模式下的功耗极低,非常适合电池供电和低功耗应用。其采用的 CMOS 技术不仅提高了稳定性和抗干扰能力,还增强了抗静电能力,提高了芯片的可靠性。该 SRAM 支持全地址和数据总线访问,适用于需要高速数据缓存的系统设计。此外,该芯片具有良好的温度适应性,可在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内稳定工作。
  WSI57C71C-70T 的封装形式为 54-TSOP,体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用。其支持标准的异步 SRAM 控制信号,如 CE(芯片使能)、OE(输出使能)和 WE(写使能),使得其与多种控制器和处理器兼容。该芯片广泛用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、消费电子产品等需要高速、低功耗存储解决方案的场合。

应用

WSI57C71C-70T 主要用于需要高速数据存取的嵌入式系统和工业设备中。典型应用包括微控制器系统的外部数据缓存、图像处理模块的帧缓存、网络设备中的数据缓冲区、通信模块的临时存储器、便携式电子设备的主存或高速缓存等。此外,该芯片也可用于测试仪器、医疗设备、安防系统和工业控制装置中,提供高速、可靠的数据存储能力。

替代型号

ISSI IS61LV1024-70T、Cypress CY62148EVLL-70ZS、Alliance AS6C1008-70SIN、Microchip 23K1024-I/P

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