MDU1517RH是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET驱动器集成电路,专为高效驱动N沟道MOSFET或IGBT而设计。该芯片具备高驱动能力和低功耗的特点,广泛应用于电机控制、电源转换以及开关电源等领域。其内置了电平移位电路和保护功能,能够在各种复杂的电子系统中稳定工作。
MDU1517RH采用SO6封装形式,具有较小的体积和较高的散热性能,适合紧凑型设计需求。同时,该芯片支持高达20V的工作电压,并能在宽范围的输入信号下可靠运行。
供电电压:4.5V至20V
输出电流:峰值可达±1.5A
输入电平兼容性:CMOS/TTL兼容
传播延迟时间:典型值100ns
工作温度范围:-40℃至+125℃
封装形式:SO6
MDU1517RH的主要特性包括:
1. 高速驱动能力:能够快速切换MOSFET或IGBT,从而提高系统效率并减少开关损耗。
2. 内置保护功能:提供欠压锁定(UVLO)保护,防止在不正常供电条件下损坏驱动器或负载。
3. 宽工作电压范围:支持4.5V到20V的宽电压输入,适应多种应用场景。
4. 小型化设计:采用SO6封装,节省PCB空间,便于小型化产品开发。
5. 可靠性高:经过严格测试,确保在恶劣环境下的稳定性和长寿命。
MDU1517RH适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率MOSFET驱动。
2. 电机控制电路中的桥式驱动。
3. LED驱动器中的同步整流驱动。
4. 各类工业设备中的功率级控制。
5. 电池管理系统(BMS)中的功率开关驱动。
这款芯片凭借其高性能和可靠性,在需要高效功率转换和精确控制的应用场景中表现出色。
MDU1517RHH, MDU1517R