SPVT110102 时间：2025/7/3 15:20:38 阅读：6

SPVT110102 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等电力电子领域。
　　其封装形式紧凑，能够有效减少系统体积并提高散热性能，同时支持高频开关操作，是现代电力系统中的理想选择。

参数

型号：SPVT110102
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：5.8A
　　导通电阻(Rds(on))：45mΩ（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷(Qg)：15nC
　　总功耗(Ptot)：3.1W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

特性

SPVT110102 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低功率损耗并提高整体效率。
　　2. 支持高频率开关操作，适合高频应用场合。
　　3. 宽泛的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行。
　　4. 内置静电保护功能，提升了芯片的可靠性。
　　5. 紧凑型封装，便于在有限空间内进行布局设计。
　　6. 高效的热管理能力，确保长时间工作的稳定性。
　　这些特性使得 SPVT110102 成为众多电力电子设备的理想解决方案。

应用

SPVT110102 的典型应用场景包括：
　　1. 开关模式电源(SMPS)转换器。
　　2. DC-DC 转换器中的同步整流。
　　3. 电机驱动控制电路。
　　4. 电池保护及充电管理系统。
　　5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其高效性和稳定性，SPVT110102 在消费电子、汽车电子以及工业控制领域都得到了广泛应用。