时间：2025/6/25 16:43:08
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SUR50N024-09P是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于SuperJunction（超级结）技术系列。该器件采用TO-263封装，具有高效率和低导通电阻的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
该型号专为高频开关应用设计，能够显著降低功率损耗并提升整体系统效率。
最大漏源电压：24V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：12nC
输入电容：2220pF
总功耗：175W
工作温度范围：-55℃至+175℃
SUR50N024-09P使用了先进的超级结技术，这使得它具备非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少传导损耗。
此外，其优化的栅极电荷使开关损耗降到最低，非常适合高频应用环境。
器件还具有快速的开关速度和良好的热稳定性，确保在高温条件下依然保持出色的性能表现。
同时，内置的ESD保护功能增强了芯片的可靠性，延长了使用寿命。
其紧凑的TO-263封装也便于安装和散热管理。
该元器件适用于多种电力电子设备中，例如：
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 电机控制与驱动
3. 工业自动化设备中的负载切换
4. DC-DC转换器
5. 电池管理系统(BMS)
6. 汽车电子中的辅助逆变器和LED驱动器
由于其优异的电气特性和稳定性，SUR50N024-09P成为许多高功率密度设计的理想选择。
IRF540N
FDP5570
STP50NF06L
