时间：2025/6/4 12:20:40
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ZXT11N20DFTA 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，适用于高电压和大电流的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性等特性。其封装形式为 D-PAK (TO-252)，能够有效提升系统的效率并减少功率损耗。
这款 MOSFET 广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器、负载开关以及其他电力电子设备中，是实现高效能量转换和控制的理想选择。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：11A
导通电阻：130mΩ
栅极电荷：28nC
总电容：130pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：D-PAK (TO-252)
ZXT11N20DFTA 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，支持高达 200V 的漏源电压，适用于高压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻（Rds(on)），在额定条件下仅为 130mΩ，有助于降低功耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，栅极电荷较低，仅为 28nC，确保高效的高频操作。
4. 强大的散热性能，适合长时间运行于高温环境下。
5. 小型化封装（D-PAK），节省 PCB 空间的同时保持良好的电气性能。
6. 宽工作温度范围，从 -55℃ 到 +175℃，适应多种恶劣工况。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
ZXT11N20DFTA 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级控制。
2. DC-DC 转换器，用于电压调节和电流控制。
3. 电机驱动电路，提供高效的功率传输和保护。
4. 负载开关，实现对不同负载的精确管理。
5. 电池管理系统（BMS），用于充放电控制和过流保护。
6. 工业自动化设备，如变频器、伺服控制器等。
7. 汽车电子系统，例如电动助力转向、制动系统等。
IRFZ44N, FQP11N20, STP11NK50Z
