电容值：10,000 pF (10 nF)
　　额定电压：1000 V
　　尺寸：1812 (4532 mm)
　　电容公差：±20%
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000 MΩ min
　　材质：陶瓷
　　封装方式：表面贴装（SMD）

UFG1K103MHM 电容器采用先进的多层陶瓷技术制造，确保了在高温和高压环境下依然具有优异的性能和稳定性。其X7R温度特性意味着电容值在工作温度范围内变化较小，适合用于对温度稳定性要求较高的电路设计。
　　该电容器的高绝缘电阻值（最低为10,000 MΩ）确保了极低的漏电流，提高了电路的稳定性和安全性。此外，其1812封装尺寸在提供高电压耐受能力的同时，也兼顾了PCB空间利用率，适合高密度电路板设计。
　　UFG1K103MHM 还具备优异的机械强度和抗振动性能，能够在恶劣环境中长期稳定工作。此外，它符合RoHS标准，适用于环保要求较高的电子产品制造。

UFG1K103MHM 多层陶瓷电容器广泛应用于各种高性能电子设备中，特别是在需要高电压耐受能力和稳定电容值的场合。例如，在电源模块、DC-DC转换器、逆变器、工业自动化设备、通信设备以及医疗电子设备中，该电容器能够提供可靠的电容支持。
　　此外，它也常用于汽车电子系统，如车载逆变器、电池管理系统（BMS）和车载信息娱乐系统（IVI），满足汽车电子对高可靠性和宽温度范围的要求。
　　由于其优异的高频特性，UFG1K103MHM 也适用于射频（RF）电路和滤波器设计，帮助提升信号传输的稳定性和抗干扰能力。

UFG1K103MHD, UFG1K103MHJ, GRM32ER71H103KA01L, C3225X7R1H103K