类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　连续漏极电流（Id）：5.8A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：23.2A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=10V, Id=2.9A
　　导通电阻（Rds(on)）：26mΩ @ Vgs=4.5V, Id=2.9A
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：520pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：190pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds=15V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ Vgs=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　上升时间（tr）：38ns
　　关断延迟时间（td(off)）：30ns
　　下降时间（tf）：18ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　安装类型：表面贴装

UF840KL-TA3-R具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与快速开关响应的结合，能够显著减少导通损耗和开关损耗，特别适用于高频开关电源系统。该器件采用了优化的沟槽式场效应晶体管结构，在保证高电流承载能力的同时，有效降低了Rds(on)，从而提升了系统的能量转换效率。其栅极氧化层经过特殊工艺处理，具备良好的抗过压能力和长期可靠性，能够在±20V的栅源电压范围内安全操作，避免因驱动信号波动导致的器件损坏。
　　此外，UF840KL-TA3-R具有较低的输入电容和反向传输电容，有助于减小驱动电路的功率消耗，并抑制高频噪声的传播，提高系统的电磁兼容性（EMC）。器件的阈值电压范围适中，可在1.0V至2.5V之间可靠开启，兼容多种逻辑电平控制信号，包括3.3V和5V微控制器输出，无需额外的电平转换电路即可直接驱动。
　　在热管理方面，SOT-23封装虽然体积小巧，但通过优化内部引线布局和芯片粘接工艺，实现了较低的热阻，使得器件在持续大电流工作状态下仍能保持合理的温升。同时，该MOSFET具备良好的雪崩耐量和抗短路能力，在突发负载或异常工况下表现出较强的鲁棒性。所有材料均符合无铅焊接工艺要求，支持回流焊和波峰焊等多种贴装方式，适应现代化自动化生产线的需求。

UF840KL-TA3-R被广泛用于各类中小功率电源管理系统中，典型应用场景包括便携式消费电子产品中的电池充放电控制电路，作为高端或低端开关元件参与同步整流过程，提升转换效率；在DC-DC降压或升压变换器中担任主开关管角色，配合电感和二极管实现稳定的电压输出；也可用于LED背光或照明驱动电路中，作为恒流调节开关，确保光源亮度一致且无闪烁现象。
　　此外，该器件常用于热插拔电路和负载开关设计，凭借其快速开启和关闭能力，可有效防止浪涌电流对后级电路造成冲击，保护敏感元器件免受损害。在电机驱动、传感器供电模块以及USB电源管理单元中也有广泛应用。由于其封装尺寸紧凑，特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网终端等对空间高度敏感的产品设计。工业领域中，它可用于PLC模块、智能电表、无线通信设备等需要高效、可靠功率控制的场合。

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