您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > INN3279C-H218-TL

INN3279C-H218-TL 发布时间 时间:2025/8/6 13:28:50 查看 阅读:7

INN3279C-H218-TL 是由 Power Integrations 公司生产的一款集成式离线反激式开关电源控制器芯片,属于该公司 InnoSwitch?3 系列产品线。该芯片采用先进的 PowiGaN 技术,将高压 GaN 开关与控制器集成在一个封装中,大大简化了高效率电源的设计。INN3279C-H218-TL 支持宽输入电压范围,适用于高效率、小体积的适配器、充电器等应用。其内部集成的同步整流控制器和 FluxLink? 技术实现了次级侧反馈,提高了系统的稳定性和效率。

参数

工作电压范围:80 VAC 至 440 VDC
  输出功率:高达 65 W
  开关频率:132 kHz(典型值)
  最大占空比:68%
  工作温度范围:-40°C 至 150°C
  封装类型:InSOP-24D
  控制器类型:电流模式 PWM 控制器
  集成 GaN 开关:650 V PowiGaN 开关
  反馈方式:FluxLink? 数字反馈
  能效等级:符合 CoC Tier 2 和 DoE Level VI 标准

特性

INN3279C-H218-TL 具备多项先进的技术特性,使其在高性能电源设计中具有显著优势。首先,该芯片采用了 PowiGaN 技术,将氮化镓(GaN)功率开关集成在芯片内部,显著提高了电源转换效率并减少了外部元件数量,简化了设计复杂度。其次,其 FluxLink? 技术实现了无光耦反馈的次级侧控制,提升了系统的响应速度和稳定性,同时减少了传统反馈路径中的元件老化问题,提高了长期可靠性。
  此外,INN3279C-H218-TL 支持多种保护功能,包括过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、欠压保护(UVLO)、过热保护(OTP)以及自动重启功能,确保系统在各种异常情况下都能安全运行。其内置的同步整流控制器可驱动外部 MOSFET,进一步提升整流效率,适用于高密度电源设计。
  该芯片采用紧凑的 InSOP-24D 封装,具备良好的散热性能,适合在有限空间内实现高功率输出。同时,其支持宽输入电压范围,适用于全球通用的交流输入电压,广泛应用于笔记本电脑适配器、USB PD 充电器、工业电源等领域。

应用

INN3279C-H218-TL 主要用于高效率、小体积的离线反激式电源转换器设计,典型应用包括:
  ? 笔记本电脑和超薄设备的电源适配器
  ? USB Power Delivery(USB PD)充电器
  ? 工业及医疗设备的辅助电源
  ? 高密度 AC/DC 电源模块
  ? 消费类电子产品充电器
  由于其高集成度和优异的能效表现,该芯片特别适合需要高功率密度和高可靠性的电源设计。

替代型号

INN3278C-H218-TL, INN3277C-H218-TL, INN3276C-H218-TL

INN3279C-H218-TL推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

INN3279C-H218-TL参数

  • 现有数量1,997现货
  • 价格1 : ¥31.00000剪切带(CT)2,000 : ¥21.82574卷带(TR)
  • 系列InnoSwitch?3-CP
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 输出隔离隔离
  • 内部开关
  • 电压 - 击穿750V
  • 拓扑反激,次级侧 SR
  • 电压 - 启动-
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)-
  • 占空比-
  • 频率 - 开关65kHz
  • 功率 (W)85 W
  • 故障保护限流,过载,超温,过压,短路
  • 控制特性EN,软启动
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 封装/外壳24-PowerSMD 模块(0.425",10.80mm) 17 引线
  • 供应商器件封装InSOP-24D
  • 安装类型表面贴装型