工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大输入电流（IF）：50 mA
　　输出晶体管集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大功耗（PD）：150 mW
　　电流传输比（CTR）：20% - 400%（具体值取决于测试条件）
　　响应时间：约10 μs（上升时间）和约10 μs（下降时间）

IL-G-9P-S3L2-E 光电耦合器具有出色的电气隔离性能，其输入和输出之间的隔离电压可高达5000 VRMS，这使其在高压应用中非常可靠。该器件的封装形式为6引脚DIP（Dual In-line Package），方便安装在PCB板上，并且具有良好的机械稳定性和热稳定性。
　　此外，IL-G-9P-S3L2-E 的电流传输比（CTR）具有较宽的范围，这意味着它可以在不同的输入电流条件下保持良好的输出响应，适用于多种信号隔离场合。其响应时间较短，适合用于数字信号的隔离传输。
　　该器件的LED部分具有较低的驱动电流要求，可以在低功耗模式下运行，适用于节能型设计。同时，输出晶体管具有较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO），使其能够承受较高的电压冲击，提高了器件的可靠性和使用寿命。

IL-G-9P-S3L2-E 主要应用于需要电气隔离的控制电路中，如变频器、伺服驱动器、PLC（可编程逻辑控制器）、工业自动化设备、电源管理系统、家电控制电路等。由于其优异的隔离性能和广泛的工作温度范围，该光电耦合器也常用于汽车电子、通信设备以及电力电子系统中。
　　在家电领域，IL-G-9P-S3L2-E 可用于隔离微控制器与高电压电路之间的信号传输，确保用户和设备的安全。在工业控制领域，它常用于隔离传感器信号、开关信号以及电机控制信号等，防止噪声干扰和电压尖峰对控制系统造成影响。

TLP521-4、PC817、HCPL-2631、MCT2E