类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏源电压（VDS）：450V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（典型值）
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220、TO-252

MGP5N45具有多个关键特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（450V VDS）使其适用于中高电压系统，例如开关电源和马达驱动器。其次，该MOSFET具备较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，其最大漏极电流为5A，能够在不使用复杂散热设计的情况下处理中等功率负载。MGP5N45的栅极驱动电压范围宽广（±20V），兼容多种驱动电路，增强了其在不同应用中的灵活性。
　　从热性能来看，MGP5N45的封装设计优化了散热能力，确保在高负载条件下也能稳定运行。同时，其工作温度范围广泛（-55°C至150°C），适合在极端环境下使用。该器件还具备良好的抗雪崩击穿能力，提高了可靠性和耐用性。MGP5N45的开关速度较快，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电路。此外，该MOSFET的制造工艺确保了良好的批次一致性，便于大规模生产中的稳定应用。

MGP5N45因其高电压和中等电流能力，被广泛应用于多种功率电子系统。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制器、电焊设备、充电器、UPS（不间断电源）以及各种工业自动化设备中的功率开关部分。此外，该器件也常用于消费类电子产品中的电源管理模块，如智能家电、电动工具和电源适配器。由于其良好的热稳定性和较高的耐压性能，MGP5N45也适用于需要长时间连续运行的工业控制系统。在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、电机驱动系统以及车身控制模块。其快速开关特性使其在高频电源变换器中表现出色，而其抗干扰能力则确保了在电磁环境复杂的工业现场中的稳定运行。

FQP5N45C, IRF540N, STP55NF06, FDPF5N45FS