制造商：AMD
　　产品类别：闪存（Flash Memory）
　　存储容量：16 Mbit（2 MB）
　　组织结构：256 K x 64 或 512 K x 32
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　访问时间：120 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装类型：48-pin TSOP Type I 或 48-ball FBGA
　　接口类型：并行（x8/x16模式）
　　编程电压：单电源3V
　　擦除方式：扇区/块/整片擦除
　　耐久性：100,000次擦写周期
　　数据保持时间：≥10年
　　只读模式下的电流：典型值20 mA
　　待机电流：≤1 μA

AM29DL162CB-120具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有广泛适用性。首先，其3V单电源供电设计简化了系统电源架构，无需额外的高压编程电源，降低了系统复杂度和成本。器件内部集成了VPP升压电路，能够在内部生成编程所需的高电压，从而实现仅需单一VCC电源即可完成读取、编程和擦除操作。其次，该闪存支持多种擦除模式，包括按扇区（sector）、按块（block）以及整片擦除（bulk erase），提供了灵活的数据管理能力。每个扇区通常为64KB大小，允许用户选择性地更新部分固件而不影响其他区域，提升了系统可靠性和维护效率。
　　该器件采用CMOS工艺制造，具备良好的功耗控制能力。在正常读取操作时，典型工作电流约为20mA，而在待机或挂起模式下，电流可低至1μA以下，显著延长了电池供电设备的续航时间。此外，AM29DL162CB-120内置硬件复位功能，可通过拉低RESET引脚使器件恢复到只读状态，确保上电或异常情况下的系统稳定性。软件写保护机制也增强了数据安全性，防止意外写入或擦除操作。
　　为了提高系统兼容性，该芯片支持x8/x16两种总线宽度操作模式，能够适应不同处理器接口需求。其120ns的访问时间满足多数中速嵌入式处理器的直接执行（XIP, eXecute In Place）要求，允许CPU直接从闪存中运行程序代码，减少对外部RAM的依赖。命令集采用标准JEDEC兼容协议，通过一系列特定地址/数据序列触发内部操作，如擦除、编程、查询状态等，便于开发者集成和调试。
　　可靠性方面，AM29DL162CB-120经过严格测试，可在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定工作，适用于严苛环境下的应用。每个器件出厂前均经过老化测试，确保长期使用的稳定性。同时，其10万次擦写寿命和10年以上数据保持能力，使其适用于频繁更新固件但仍需长期数据保留的应用场景，如路由器、工业控制器和医疗设备等。

AM29DL162CB-120主要应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。常见用途包括网络通信设备（如路由器、交换机）中的固件存储，用于存放启动代码（Bootloader）、操作系统镜像和配置信息。在工业自动化控制系统中，它可用于存储PLC程序、设备参数和校准数据，支持现场升级而不影响系统运行。消费类电子产品如机顶盒、打印机、数码相机等也广泛采用此类并行NOR Flash作为主程序存储器，因其支持XIP特性，可提升系统响应速度。
　　此外，该器件适用于汽车电子模块，例如车载信息娱乐系统、仪表盘控制单元和ECU（电子控制单元），尤其是在不需要极高密度存储但要求高可靠性和宽温工作的场合。医疗设备中的一些便携式仪器也使用AM29DL162CB-120来保存关键的操作程序和患者设置数据，确保断电后信息不丢失。
　　由于其标准并行接口和成熟的驱动支持，该芯片常被用于开发板和原型设计阶段，方便工程师快速验证系统功能。尽管近年来串行SPI Flash因体积小、成本低而逐渐取代部分并行Flash市场，但在需要较高吞吐率和直接执行代码的应用中，AM29DL162CB-120仍具一定优势。

S29GL016D-120FBG100
　　S29GL016D-120FHI010
　　CY29GL016S-120BFC
　　MT28EW016ADA-120:B