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ATF-35143-TR1 发布时间 时间:2025/8/22 12:02:36 查看 阅读:18

ATF-35143-TR1 是一款由 Microchip Technology 生产的砷化镓(GaAs)场效应晶体管(FET),属于高电子迁移率晶体管(HEMT)类别。该器件专为射频(RF)和微波应用设计,适用于低噪声放大器、接收器前端和其他高频电路。ATF-35143-TR1 采用 SOT-343 封装,具有优异的噪声性能和良好的线性度,非常适合用于通信系统、测试设备和无线基础设施。

参数

频率范围:10 MHz - 4 GHz
  噪声系数:0.45 dB(典型值,@ 2 GHz)
  增益:18 dB(典型值,@ 2 GHz)
  输出功率:25 mA(漏极电流,典型值)  封装类型:SOT-343
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

ATF-35143-TR1 以其优异的低噪声性能著称,在 2 GHz 频率下噪声系数低至 0.45 dB,使其成为无线通信和射频接收器前端的理想选择。该器件采用 Microchip 的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,具有高增益和出色的线性度,确保信号的高保真传输。
  此外,ATF-35143-TR1 的工作频率范围覆盖从 10 MHz 到 4 GHz,可广泛应用于 GSM、WCDMA、WiMAX、WiFi、蓝牙等多种无线通信系统。其低功耗设计(典型工作电压为 3V)有助于降低系统整体功耗,适用于电池供电设备。
  该晶体管的 SOT-343 小型封装形式不仅节省空间,还便于自动化生产和 PCB 布局。同时,其宽广的工作温度范围(-55°C 至 +150°C)确保了在各种环境条件下的稳定运行。

应用

ATF-35143-TR1 主要用于需要高灵敏度和低噪声的射频前端电路,例如蜂窝通信基站、无线局域网(WLAN)设备、卫星通信系统、GPS 接收器、测试与测量仪器等。此外,该器件也可用于软件定义无线电(SDR)平台、射频识别(RFID)系统以及各类低噪声放大器(LNA)设计中。

替代型号

ATF-34143, ATF-361C9, BGA2707, BFU560

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