时间：2025/9/12 12:43:14
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KF7N65F-U/PS是一款N沟道增强型功率MOSFET，通常用于电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等场合。该MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有良好的稳定性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：7A（在25℃）
功耗（PD）：80W
导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（最大值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等
KF7N65F-U/PS具有低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高开关速度使其适用于高频应用，减少开关损耗并提高响应速度。此外，该器件具有良好的热稳定性，在高功率操作条件下能保持稳定的性能。内置的体二极管能够提供反向电流保护，适用于需要续流二极管的应用场景。该MOSFET还具有较强的过载能力和耐压能力，适用于各种高可靠性应用。
KF7N65F-U/PS广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动系统、LED驱动电源、工业自动化设备和电池管理系统等。由于其高耐压能力和良好的导通性能，该器件也适用于高压负载开关和电源管理模块。
STF7N65M2、FQP7N65、IRF7N65FD、TK7A60D
