时间：2025/8/15 18:33:42
阅读：25
UF3C170400K3S 是一款由 UnitedSiC（现隶属于 Qorvo）推出的碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（FET）。这款器件采用了先进的碳化硅技术，具有优异的导电性能和高温工作能力，适用于高效率、高频和高功率密度的电力电子系统。UF3C170400K3S 的设计使其成为替代传统硅基 MOSFET 和 IGBT 的理想选择，尤其在需要高效能和高可靠性的应用中。
类型：碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（FET）
漏源电压（VDS）：1700V
连续漏极电流（ID）：400A
导通电阻（RDS(on)）：17mΩ
封装类型：Surface Mount
工作温度范围：-55°C 至 175°C
栅极电荷（Qg）：低
短路耐受能力：有
UF3C170400K3S 具有一系列优异的电气和热性能特性。其碳化硅材料的使用显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统效率。该器件的导通电阻仅为 17mΩ，使得在高电流条件下仍能保持较低的功耗。此外，UF3C170400K3S 支持高达 175°C 的工作温度，显示出出色的热稳定性和可靠性，适合在极端环境下运行。
该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下提供更高的安全裕度。其低栅极电荷（Qg）特性使得开关速度更快，减少了开关损耗，非常适合高频应用。此外，该 SiC FET 的封装设计支持表面贴装，简化了 PCB 设计并提高了装配效率。
由于其卓越的性能，UF3C170400K3S 可以直接替代传统硅基 IGBT 和 MOSFET，从而在不牺牲性能的情况下实现更高的效率和更小的系统尺寸。
UF3C170400K3S 广泛应用于各种高功率、高效率的电力电子系统中。典型的应用包括电动汽车（EV）车载充电器、充电桩、工业电源、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）、储能系统以及电机驱动器等。在电动汽车领域，该器件能够显著提高充电效率并减小系统尺寸，满足现代 EV 对高功率密度和高可靠性的需求。在工业电源和数据中心电源系统中，UF3C170400K3S 可用于构建高效率的 DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器，提升整体能效并降低冷却需求。
此外，该器件也适用于需要高频开关的谐振转换器和软开关拓扑，充分发挥其低开关损耗的优势。在可再生能源系统中，UF3C170400K3S 可用于构建高效的功率调节装置，提高能源转换效率并降低系统维护成本。
SiC MOSFET: C3M0016120D (Wolfspeed), SCT3040KR (ROHM), SICFET1200V400A (Infineon)
