SFM-110-T1-F-D-LC-K是一款高性能的表面贴装功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用了先进的封装技术和制造工艺,具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性。其封装形式为DFN8(2x2mm),能够有效降低寄生电感并提高散热性能,非常适合对效率和空间要求较高的设计。
类型:功率MOSFET
封装:DFN8(2x2mm)
VDS(漏源电压):100V
RDS(on)(导通电阻):15mΩ(典型值,@ VGS=10V)
ID(连续漏极电流):11A
Qg(栅极电荷):20nC
fT(过渡频率):3.6MHz
工作温度范围:-55℃至+150℃
SFM-110-T1-F-D-LC-K具备出色的电气性能和可靠性:
1. 采用DFN8小型化封装,适合高密度电路设计。
2. 超低导通电阻(RDS(on)),可显著降低功耗并提升系统效率。
3. 快速开关特性,有助于减少开关损耗并支持高频操作。
4. 高耐压能力(100V),确保在各种复杂工况下的稳定运行。
5. 支持宽温度范围操作,适应多种恶劣环境条件。
6. 具备良好的热性能,可有效散发热量以延长使用寿命。
这款功率MOSFET适用于以下场景:
1. 开关电源中的同步整流和DC-DC转换器。
2. 电机驱动控制,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
3. 负载开关和过流保护电路。
4. 汽车电子系统中的电源管理模块。
5. 工业自动化设备中的信号切换与功率传输。
6. 便携式电子设备中的高效功率管理单元。
SFM-110-T1-G-D-LC-K
SFM-110-T2-F-D-LC-K
SFM-100-T1-F-D-LC-K