晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vceo）：100V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：100V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：连续：2A
　　功耗（Ptot）：25W
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA时，典型值为300，范围根据等级不同在110至800之间
　　频率响应（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-223

UF2GT/R晶体管具有多项优异的电气特性，使其在中功率高频应用中表现出色。首先，其最大集电极-发射极电压为100V，集电极电流可达2A，适合中等功率放大和开关应用。其次，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，可以根据不同等级提供从110到800的增益值，适用于多种电路设计需求。
　　此外，UF2GT/R的工作频率高达100MHz，使其适用于高频放大电路，例如射频（RF）前端和音频放大器。SOT-223封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，有助于在高功率运行时保持较低的工作温度，从而提高可靠性和稳定性。
　　值得一提的是，该晶体管的低饱和压降（Vce_sat）在高电流下仍能保持较低的导通损耗，提高整体能效。其封装形式也支持自动化装配，便于在大规模生产中使用。

UF2GT/R晶体管广泛应用于多个领域，包括消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等。在消费电子方面，该晶体管可用于音频放大器、电源开关及LED驱动电路。在工业应用中，常见于中功率电机驱动、继电器控制和传感器信号放大等场景。
　　在通信设备中，UF2GT/R适用于射频功率放大器和信号调理电路，特别是在低频到超高频（UHF）范围内。此外，在汽车电子系统中，该晶体管可被用于车身控制模块、车载音响系统以及电动执行器的驱动电路。
　　由于其高频性能和较强的电流承载能力，UF2GT/R也常用于开关电源（SMPS）中的功率开关元件，以及DC-DC转换器的控制电路中。

TIP41C, 2N6107, BD243C, MJ21194