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RT1P140C-T112-1 发布时间 时间:2025/9/28 15:57:21 查看 阅读:6

RT1P140C-T112-1是一款由Richtek(立锜科技)推出的高性能同步降压型DC-DC转换器,广泛应用于需要高效能、小体积电源解决方案的便携式电子设备中。该芯片采用电流模式控制架构,能够在宽输入电压范围内稳定工作,适用于单节或多节锂电池供电系统以及其他低压直流电源系统。RT1P140C-T112-1集成了高边和低边MOSFET,显著减少了外部元器件数量,简化了电源设计,并提高了整体效率。其封装形式为小型化WDFN-10L(3mm×3mm),非常适合对空间有严格要求的应用场景。
  该器件支持可调输出电压,通过外部电阻分压网络可实现从0.6V至接近输入电压的宽范围调节,满足不同负载对电压的需求。启动时的软启动功能有效抑制了浪涌电流,提升了系统可靠性。此外,芯片具备多种保护机制,包括过流保护、过温保护和输出短路保护,确保在异常工况下仍能安全运行。RT1P140C-T112-1工作频率典型值为1.2MHz,允许使用小型电感和陶瓷电容,进一步缩小整体解决方案尺寸。

参数

型号:RT1P140C-T112-1
  制造商:Richtek(立锜科技)
  器件类型:同步降压DC-DC转换器
  输入电压范围:2.5V ~ 5.5V
  输出电压范围:0.6V ~ 5.0V(可调)
  最大输出电流:1.4A
  开关频率:1.2MHz(典型值)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:WDFN-10L(3mm × 3mm)
  控制方式:电流模式PWM控制
  静态电流:30μA(关断模式)
  占空比:最大100%
  集成MOSFET:是(上下管均集成)

特性

RT1P140C-T112-1采用先进的电流模式控制架构,提供快速的瞬态响应和优异的负载调整率,能够有效应对负载电流的快速变化,保持输出电压稳定。其内部集成的高边和低边功率MOSFET具有低导通电阻(Rdson),大幅降低了导通损耗,提升了转换效率,尤其是在轻载和中等负载条件下表现尤为出色。芯片支持100%占空比工作模式,在电池电量较低时仍能维持输出电压,延长了电池使用寿命,特别适合电池供电设备。
  该器件具备良好的电磁干扰(EMI)性能,1.2MHz的高开关频率使得噪声频谱远离敏感频段,同时配合优化的布局设计可进一步降低辐射干扰。内置软启动功能限制了启动过程中的浪涌电流,防止输入电压跌落或系统复位问题。在轻载条件下,芯片自动进入节能模式(PFM模式),动态调节开关频率以维持高效率,同时将静态功耗降至最低,这对于延长移动设备的待机时间至关重要。
  RT1P140C-T112-1还集成了全面的保护机制,包括逐周期电流限制、输出短路保护和热关断功能。当芯片结温超过安全阈值时,热保护电路会自动关闭输出,防止损坏;温度下降后可自动恢复工作,提升了系统的鲁棒性。此外,器件支持使能(EN)引脚控制,允许用户通过外部信号开启或关闭电源输出,便于实现多路电源时序控制或系统休眠管理。WDFN-10L封装具有优良的散热性能,可通过PCB焊盘有效导热,适用于高密度贴装环境。

应用

RT1P140C-T112-1适用于多种便携式电子设备和低功耗系统,尤其适合对空间和效率要求较高的应用场景。常见应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备(如智能手表、健康监测仪)、TWS耳机充电仓、物联网终端节点、无线传感器模块以及各类电池供电的嵌入式系统。由于其宽输入电压范围和高效率特性,该芯片也常用于由单节锂离子/锂聚合物电池(3.0V~4.2V)或两节镍氢电池(2.4V~3.0V)供电的设备中。
  在消费类电子产品中,RT1P140C-T112-1可用于为主处理器、存储器、传感器、显示屏背光驱动等子系统提供稳定的低压电源。其高集成度和小封装使其成为替代传统LDO的理想选择,特别是在输入输出压差较大时,能够显著提升能效并减少发热。此外,该器件也适用于工业手持设备、便携式医疗仪器和智能家居控制面板等对可靠性和稳定性要求较高的场合。得益于其出色的瞬态响应能力和低噪声特性,还可为敏感的模拟电路(如ADC、DAC、RF模块)提供干净的电源轨,有助于提高信号完整性和系统精度。

替代型号

RTQ2140AE

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