DTC144EUAT106 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频和高效率应用而设计。该器件采用增强型 GaN HEMT 结构,具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力,适合用于开关电源、DC-DC 转换器、无线充电和其他高频功率转换应用。
这款晶体管通过优化栅极驱动特性提高了系统可靠性,并且封装形式紧凑,便于在小型化设计中使用。
型号:DTC144EUAT106
类型:GaN 功率晶体管
漏源电压(Vds):650 V
连续漏极电流(Id):8 A
导通电阻(Rds(on)):70 mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5 V 至 4.5 V
输入电容(Ciss):2290 pF
输出电容(Coss):105 pF
反向传输电容(Crss):85 pF
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装:TO-252(DPAK)
DTC144EUAT106 的主要特性包括:
1. 高击穿电压:支持高达 650V 的漏源电压,适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻:70mΩ 的 Rds(on) 显著降低了传导损耗,提升了整体效率。
3. 快速开关性能:由于其较低的 Qg 和 Crss,器件能够实现更快的开关速度,减少开关损耗。
4. 小型封装:TO-252 (DPAK) 封装使得器件易于集成到紧凑型设计中。
5. 高温适应性:能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定运行,适用于恶劣环境条件。
6. 增强的安全操作区 (SOA):确保在各种负载条件下提供可靠的保护功能。
DTC144EUAT106 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):适用于高效率 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 图腾柱 PFC:在功率因数校正电路中表现出色。
3. 无线充电系统:支持更高频率和效率的无线能量传输。
4. 电机驱动器:用于高效的电机控制和驱动。
5. 快速充电适配器:实现更小体积和更高功率密度的充电解决方案。
6. 工业电源设备:如焊接机、UPS 系统等对功率效率要求较高的场合。
DTC144EUAH106, DTS144EUAT106