类型：超快恢复整流二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：400V
　　最大有效值电压（VRMS）：280V
　　最大直流阻断电压（VDC）：400V
　　平均整流电流（IO）：1.0A（Tc=75°C）
　　非重复峰值浪涌电流（IFSM）：30A（t=8.3ms，单半正弦波）
　　正向压降（VF）：≤1.3V（@ IF=1.0A, TJ=25°C）
　　反向漏电流（IR）：≤5μA（@ VR=400V, TJ=25°C）；≤200μA（@ VR=400V, TJ=125°C）
　　反向恢复时间（trr）：≤50ns（@ IF=0.5A, dI/dt=100A/μs）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约150°C/W（典型值，依PCB布局而定）
　　封装形式：SMA（DO-214AC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UF1004-T的核心优势在于其卓越的开关性能与热稳定性。该器件采用了优化的P-N结结构和平面钝化工艺，有效控制了载流子寿命，从而实现了极短的反向恢复时间（trr ≤ 50ns）。这一特性使其在高频开关应用中表现出色，能大幅减少因二极管反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰（EMI），提升电源系统的电磁兼容性。同时，低反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性进一步降低了开关过程中的能量损耗和电压应力，有助于延长主开关器件（如MOSFET或IGBT）的使用寿命。
　　在导通性能方面，UF1004-T具备较低的正向压降（VF ≤ 1.3V @ 1A），即使在较大负载电流下也能保持较高的整流效率，减少功率损耗并降低温升。结合其1.0A的额定平均整流电流能力，能够在紧凑的空间内实现高效的能量转换。该器件还具备良好的浪涌电流承受能力（IFSM = 30A），可在短时间内应对突发的大电流冲击，例如开机瞬间的充电电流，增强了系统的鲁棒性。
　　从可靠性角度看，UF1004-T通过严格的筛选和测试流程，确保批次一致性高，且在高温高湿环境下仍能保持稳定的电气性能。其宽工作温度范围（-55°C ~ +150°C）使其适用于工业控制、汽车电子、通信电源等多种严苛应用场景。SMA封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，配合合理的PCB铜箔设计可有效传导热量，避免局部过热导致失效。此外，该器件符合国际安规和环保标准，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造需求。

UF1004-T主要应用于各类中低功率开关电源系统中，作为输出整流二极管或续流二极管使用。常见于AC-DC适配器、手机充电器、LED驱动电源、小型UPS不间断电源、LCD背光逆变器等消费类电子产品中。由于其具备快速恢复特性和低功耗表现，特别适合用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）等拓扑结构的电源设计，在这些电路中承担能量传递和电压钳位的功能。
　　在DC-DC转换器中，UF1004-T可用于BUCK、BOOST或SEPIC等拓扑中的续流路径，确保电感电流连续性并防止反向电压损坏主控芯片。其高速响应能力有助于提高转换效率，尤其是在轻载或动态负载变化频繁的应用场景中表现优异。
　　此外，该器件也适用于逆变器电路中的阻断二极管、电机驱动电路中的续流保护、以及各种需要隔离和整流功能的工业控制模块。由于其表面贴装封装形式，非常适合自动化生产线使用，广泛用于通信设备、智能家居控制板、安防监控电源模块等领域。对于需要替代传统插件式1N4937、1N4946等快恢复二极管的设计，UF1004-T提供了一种更小型化、更高效率的解决方案。

MUR1100E
　　ES1D
　　HER107
　　UF1004