类型：单向TVS二极管
　　工作电压（VRWM）：3.3V
　　击穿电压（VBR）：最小3.76V，典型值约4.05V
　　最大钳位电压（VC）：5.9V @ 浪涌电流IPP=5.8A
　　峰值脉冲功率（PPPM）：600W @ 10/1000μs波形
　　漏电流（IR）：最大10μA @ VRWM=3.3V
　　封装形式：SMC（DO-214AB）
　　极性：单向
　　测试标准：符合IEC 61000-4-2（ESD）Level 4（±8kV接触，±15kV空气）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

UES1H3R3MDM的核心特性之一是其低工作电压与精确的击穿电压控制，使其非常适合用于3.3V逻辑系统的保护。该器件的反向关断电压（VRWM）为3.3V，确保在正常工作条件下不会对系统造成干扰，同时又能及时响应超过阈值的瞬态电压。其击穿电压典型值约为4.05V，在达到此电压时迅速进入雪崩导通状态，将多余能量泄放到地，从而有效限制输出端的电压上升。
　　另一个关键特性是其高达600W的峰值脉冲功率承受能力，这使得UES1H3R3MDM能够应对诸如EFT（电快速瞬变脉冲群）和雷击引起的感应浪涌等高强度瞬态事件。配合10/1000μs标准测试波形，该器件可在短时间内吸收大量能量而不发生永久性损坏，表现出优异的能量吸收能力和热稳定性。
　　该TVS二极管采用SMC表面贴装封装，不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适合自动化贴片生产流程。其低钳位电压（5.9V）在浪涌电流为5.8A时仍能维持在一个较低水平，有助于保护后续低压IC（如MCU、FPGA、接口芯片）不被过压损伤。
　　此外，UES1H3R3MDM具有极低的漏电流（最大10μA），在待机或低功耗模式下几乎不影响系统功耗，特别适用于便携式设备和电池供电系统。其快速响应时间（通常小于1纳秒）确保在静电放电（ESD）事件发生的瞬间即可启动保护机制，防止数据错误或器件锁死。
　　该器件符合多项国际电磁兼容性（EMC）标准，包括IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）和IEC 61000-4-5（浪涌），适用于需要通过严格EMI/EMC认证的产品设计。整体而言，UES1H3R3MDM是一款高性能、高可靠性的瞬态电压抑制解决方案，兼顾了响应速度、功率处理能力和集成度。

UES1H3R3MDM常用于各类需要对低压直流线路进行瞬态保护的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的USB接口、SD卡插槽、音频接口等信号线保护，这些接口极易受到人体静电放电（ESD）的影响，使用该TVS可显著提升产品耐用性和用户体验。在工业控制系统中，该器件可用于PLC输入/输出模块、传感器接口和通信总线（如RS-232、RS-485）的电源与信号线防护，防止现场电磁干扰引发的误动作或硬件损坏。
　　在通信设备领域，UES1H3R3MDM适用于以太网端口、电话线路、基站控制单元等部位的次级保护电路，配合气体放电管或PTC电阻构成多级保护架构，实现从高压到低压的逐级衰减。在汽车电子方面，尽管其非专门面向汽车级认证，但在部分车载信息娱乐系统、辅助驾驶传感器接口或车内充电模块中也可作为临时保护方案使用，前提是满足相应的环境温度与可靠性要求。
　　此外，该器件也适用于电源适配器输出端、LDO稳压器前端以及微控制器（MCU）复位引脚的过压保护，防止因电源波动或人为操作导致的电压冲击。由于其单向特性，特别适合用于正电压轨的保护，例如+3.3V、+2.5V或+1.8V供电网络。在高速数据线路中，虽然需注意结电容可能带来的信号失真问题，但因其电容值相对较小（典型值约几十皮法），在多数低速至中速通信链路中仍可安全使用。

SMAJ3.3A;P6KE3.3A;TPSMAJ3.3A