时间：2025/12/28 1:45:35
阅读：12
FHD2N65-TU是一款由富鼎（Alpha & Omega Semiconductor）推出的高压MOSFET功率晶体管，采用先进的平面栅极工艺技术制造，专为高效率开关电源应用设计。该器件的额定电压为650V，适用于需要高耐压和低导通损耗的中高功率应用场景。FHD2N65-TU基于DMOS（双扩散金属氧化物半导体）结构，具备优良的雪崩能量承受能力和坚固的可靠性，在高温、高电压环境下仍能保持稳定性能。其封装形式为TO-220F或类似塑封通孔封装，具备良好的散热性能，便于安装于散热片上以提升热管理效率。该MOSFET广泛应用于AC-DC转换器、离线式开关电源（SMPS）、LED照明驱动电源、待机电源以及其他需要高效能功率开关的场合。FHD2N65-TU在设计上优化了栅极电荷与导通电阻之间的平衡，有助于降低开关损耗和传导损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代节能型电子设备的设计需求。
型号：FHD2N65-TU
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：2A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（Idm）：8A
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值5.0Ω（Max 5.5Ω @ Vgs=10V, Id=1A）
阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
栅极电荷（Qg）：典型值16nC（@ Vds=500V, Id=2A, Vgs=10V）
输入电容（Ciss）：典型值380pF（@ Vds=25V, f=1MHz）
输出电容（Coss）：典型值95pF
反向恢复时间（trr）：未集成快速恢复二极管时需外接
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220F
FHD2N65-TU具备出色的高压阻断能力，其650V的漏源击穿电压使其非常适合用于全球通用输入电压范围（85VAC至265VAC）的离线式电源系统中。器件采用优化的平面DMOS工艺，在保证高耐压的同时实现了较低的单位面积导通电阻，从而有效降低了在额定工作电流下的功率损耗。这种低Rds(on)特性对于提升电源系统的整体能效至关重要，特别是在轻载和满载条件下均需维持高效率的应用场景中表现优异。
该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），这直接减少了驱动电路所需的能量，并降低了开关过程中的动态损耗，有利于实现高频开关操作而不会显著增加温升。同时，其输入电容和输出电容较小，有助于减少寄生振荡和电磁干扰（EMI），提升系统的电磁兼容性。此外，FHD2N65-TU拥有较高的雪崩能量等级，能够在瞬态过压或负载突变情况下提供一定的自我保护能力，增强了整个电源系统的鲁棒性和长期运行稳定性。
器件的热性能经过优化设计，TO-220F封装具备良好的热传导路径，允许通过外部散热器将热量有效导出，确保在持续高功率工作状态下结温控制在安全范围内。该MOSFET还具备较强的抗di/dt和dv/dt能力，能够在快速开关过程中避免误触发或局部热点形成。由于其稳定的阈值电压特性和良好的温度系数，多个FHD2N65-TU器件可以并联使用以提高总电流承载能力，而无需复杂的均流电路。这些综合特性使FHD2N65-TU成为中小功率开关电源中理想的主开关元件选择。
FHD2N65-TU广泛应用于各类中低功率开关模式电源系统中，尤其适合作为反激式（Flyback）、正激式（Forward）等拓扑结构中的主开关器件。常见应用包括但不限于：液晶电视、显示器及家用电器中的辅助电源（Auxiliary Power Supply）或待机电源（Standby SMPS），这类电源通常要求在极轻载甚至空载条件下仍保持高效率和低待机功耗，FHD2N65-TU凭借其低静态电流和高效开关特性能够很好地满足此类需求。
此外，它也常用于LED恒流驱动电源模块，尤其是在隔离式降压或反激拓扑中作为初级侧开关元件，支持宽输入电压范围下的稳定输出控制。在工业控制领域，如PLC电源模块、小型逆变器、充电器和适配器（例如12V/24V AC-DC适配器）中，FHD2N65-TU因其高可靠性和耐久性而被广泛采用。
由于其具备良好的瞬态响应能力和抗浪涌性能，该器件也可用于电网波动较大的环境中，如农村或偏远地区的交流供电设备。同时，在一些需要符合能源之星（Energy Star）、EuP Lot 6等能效规范的产品设计中，FHD2N65-TU有助于帮助工程师达成严格的能效目标。总之，凡是需要一个成本效益高、性能稳定且易于使用的650V N沟道MOSFET的场合，FHD2N65-TU都是一个极具竞争力的选择。
AOB2N65, FQP2N65, STP2N65M5, KF2N65, SIHF2N65
