时间：2025/8/8 23:08:37
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2SK1101 STP9NK50是一款N沟道功率MOSFET，适用于高电压和高电流的开关应用。该器件设计用于高效能的电源转换系统，如开关电源（SMPS）、电机控制和逆变器。STP9NK50具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：9A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω（最大）
功耗（Ptot）：75W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220、D2PAK
STP9NK50具备多项优越的电气特性，使其在多种功率应用中表现出色。其低导通电阻降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体效率。此外，该器件具有较高的击穿电压，确保在高压环境下稳定运行。其快速开关特性减少了开关损耗，使得该MOSFET适用于高频开关应用。
在热管理方面，STP9NK50采用优化的封装设计，具有良好的散热性能，能够在高电流负载下保持较低的温度上升。该器件还内置了静电放电（ESD）保护，提高了抗干扰能力和可靠性。
STP9NK50的栅极驱动特性设计使其适用于标准逻辑电平控制，简化了与微控制器或其他数字控制电路的接口设计。同时，其高dv/dt抗扰能力确保在高速开关操作中不会产生误触发，提高系统稳定性。
STP9NK50广泛应用于各种高电压和高电流的电子系统，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器、充电器和工业自动化设备。此外，它也可用于照明控制系统、电池管理系统和家用电器中的功率控制电路。
STP9NK50Z STP8NK50 STP12NK50 STP7NK50
