时间：2025/12/25 11:39:34
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UDZVFHTE-174.7B是一款由ROHM Semiconductor生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压基准和电压调节应用。该器件采用小型SOD-523封装，具有体积小、功耗低、响应速度快等特点，非常适合在空间受限的便携式电子设备中使用。其标称齐纳电压为4.7V，在额定电流条件下能够提供稳定的参考电压。该器件的命名遵循ROHM的标准编码规则，其中“UDZV”代表超小型齐纳二极管系列，“F”表示电特性等级，“HTE”通常指符合AEC-Q101汽车级标准并适用于高温环境的版本，“-17”可能代表特定的电压容差或产品变体代码，而“4.7B”则明确指示其标称电压为4.7V。这款齐纳二极管广泛应用于电源管理电路、信号电平转换、过压保护以及各种需要精确电压参考的模拟和数字系统中。
由于采用了先进的半导体制造工艺，UDZVFHTE-174.7B具备良好的温度稳定性和长期可靠性。它能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能，适合工业控制、消费电子和汽车电子等多种应用场景。此外，该器件符合RoHS环保要求，不含铅等有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品的发展趋势。
类型：齐纳二极管
封装/外壳：SOD-523
齐纳电压（Vz）：4.7V
测试电流（Iz）：5mA
最大齐纳阻抗（Zzt）：80Ω
功率耗散（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
反向漏电流（Ir）：1μA（最大）
电压容差：±5%
UDZVFHTE-174.7B齐纳二极管的核心特性之一是其优异的电压稳定性与温度特性。在正常工作条件下，该器件能够在5mA的测试电流下维持4.7V的稳定齐纳电压，并且其动态阻抗（Zzt）不超过80Ω，这保证了在负载变化或输入波动时仍能提供相对平稳的输出电压。这种低阻抗特性使其特别适用于对噪声敏感的应用，如精密模拟前端、ADC参考源或逻辑电平偏置电路。同时，由于其电压容差控制在±5%以内，用户无需额外进行校准即可实现较高精度的电压设定，从而简化设计流程并降低系统成本。
该器件采用SOD-523超小型表面贴装封装，尺寸仅为约1.0mm × 0.6mm × 0.5mm，极大节省了PCB布局空间，适用于高密度集成的移动设备和可穿戴电子产品。尽管体积微小，但其最大功耗可达200mW，在适当的散热条件下仍能胜任中等功率的稳压任务。此外，UDZVFHTE-174.7B具有出色的温度适应能力，可在-55°C至+150°C的极端温度范围内可靠运行，满足严苛工业环境和汽车电子系统的使用需求。
在可靠性方面，该器件通过AEC-Q101认证，表明其具备汽车级质量与耐久性，能够在振动、湿度和热循环等恶劣条件下长期稳定工作。其反向漏电流在额定电压下不超过1μA，确保在关断状态下几乎不产生额外功耗，这对电池供电设备尤为重要。此外，该器件采用无铅封装和绿色环保材料，符合RoHS和无卤素指令要求，支持现代可持续制造理念。综合来看，UDZVFHTE-174.7B是一款高性能、高可靠性的小信号齐纳二极管，适用于多种对空间、效率和稳定性有严格要求的应用场景。
UDZVFHTE-174.7B广泛应用于各类需要稳定电压参考的小信号电路中。在电源管理系统中，它可以作为线性稳压器或开关电源的反馈回路中的基准电压源，帮助维持输出电压的精确性。在嵌入式系统和微控制器单元（MCU）中，常用于为复位电路、看门狗定时器或内部比较器提供稳定的触发阈值电压，防止因电源波动导致误动作。此外，在传感器信号调理电路中，该齐纳二极管可用于偏置放大器输入端，确保信号链前端的工作点稳定，提高测量精度。
在通信接口电路中，例如I2C、UART或SPI总线的电平转换部分，UDZVFHTE-174.7B可以配合限流电阻实现简单的电压钳位功能，防止高电压信号损坏低压逻辑器件。它也可用于LED驱动电路中的电压限制，避免过压导致发光二极管损坏。在汽车电子领域，该器件可用于车载娱乐系统、车身控制模块或电池管理系统中的电压监测与保护电路，因其具备AEC-Q101认证，能够承受车辆运行过程中的高温与振动冲击。
在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中，由于其超小型封装和低功耗特性，UDZVFHTE-174.7B被广泛用于电源轨监控、按键去抖电路或触摸屏控制器的参考电压生成。同时，它还可用于模拟-数字转换器（ADC）或多路复用器的输入保护，防止静电放电（ESD）或瞬态过压造成芯片损伤。总体而言，该器件凭借其高精度、小尺寸和高可靠性，成为众多电子系统中不可或缺的基础元件之一。
MMBZ5230B-7-F
PMEZ5230-7-F
SZMM3Z4V7BT1G
ZMM4V7
BZT52C4V7
