类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：500V
　　最大栅源电压 Vgs：±30V
　　最大漏极电流 Id：8A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.65Ω（最大 0.85Ω）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252

JX2N6118 MOSFET 具备多项优异特性，使其在多种功率电子设备中广泛应用。首先，其高耐压特性（最大 Vds 达 500V）允许其在高压开关应用中稳定工作，例如在开关电源（SMPS）和逆变器设计中。其次，其导通电阻较低，典型值为 0.65Ω，确保在导通状态下功耗较小，从而提高整体系统效率。此外，该器件的最大连续漏极电流为 8A，适用于中等功率级别的负载控制。
　　另一个显著特点是其良好的热稳定性。JX2N6118 采用高效的封装散热设计，能够有效散发工作过程中产生的热量，确保在高负载下仍能维持稳定运行。其最大功耗为 50W，适用于需要较高散热能力的应用场景。
　　该 MOSFET 还具备较高的栅源电压耐受能力（±30V），增强了在不同驱动电路中的适应性。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其适用于恶劣环境条件下的电子设备，例如工业控制系统和户外电子装置。

JX2N6118 主要用于各类高电压、中等功率的开关应用。在开关电源（SMPS）中，它可以作为主开关器件，实现高效的能量转换。此外，该器件也常用于 DC-DC 转换器中，例如升压（Boost）和降压（Buck）电路，以实现稳定的电压调节。在电机控制和驱动电路中，JX2N6118 可用于控制直流电机的启停和转速调节。
　　由于其良好的耐压能力和导通性能，该 MOSFET 也被广泛应用于 LED 照明驱动、电子镇流器、电池充电器和不间断电源（UPS）等电力电子系统中。在工业自动化控制设备中，它常用于负载开关、继电器替代和高频逆变器设计中。此外，在消费类电子产品如电源适配器、智能插座和家用电器控制模块中也有广泛应用。

2N6118, IRF840, FQP8N50, STP8NK50Z