电容：15 pF
　　容差：±20%
　　额定电压：100 V DC
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0603（1608 公制）
　　介质材料：Ceramic (Class I)
　　绝缘电阻：≥100 GΩ·μF
　　时间常数：≥100000 s
　　老化率：0%/decade
　　等效串联电阻（ESR）：典型值 < 0.1 Ω
　　自谐振频率（SRF）：典型值 > 3 GHz
　　电容温度系数：0 ±30 ppm/°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）

B41858C4158M000 采用 Class I 类陶瓷介质材料，具体为 C0G（也称为 NP0）材质，具备极高的电气稳定性。这种材料的温度系数几乎为零（0 ±30 ppm/°C），意味着其电容值在 -55°C 到 +125°C 的整个工作温度范围内几乎不随温度变化而发生漂移，这对于需要精确频率控制的振荡器、滤波器和定时电路至关重要。此外，C0G 材质具有极低的介电损耗，表现为高 Q 值和低等效串联电阻（ESR），从而最大限度地减少信号衰减和能量损失，特别适合用于高频和射频应用中，如 RF 匹配网络、LC 谐振电路和低噪声放大器前端。
　　该器件的电容容差为 ±20%，虽然看似较宽，但在 C0G 类 MLCC 中属于标准范围，且由于其出色的温度和电压稳定性，实际使用中的性能一致性远优于 X7R 或 Y5V 等 II 类陶瓷电容。其 100 V 的额定直流电压使其能够承受较高的工作电压，适用于电源去耦、高压信号耦合等场景。同时，由于没有铁磁性材料，该电容器不受磁场影响，且不会产生非线性失真，保证了信号的纯净度。
　　B41858C4158M000 具备优异的长期稳定性，老化率几乎为零，不会像 II 类介质那样随时间推移发生明显的电容衰减。其高绝缘电阻（≥100 GΩ·μF）和长时间常数（≥100000 s）确保了极低的漏电流，适用于高阻抗电路和精密模拟应用。此外，该器件通过 AEC-Q200 认证，满足汽车电子对可靠性的严苛要求，可用于车载信息娱乐系统、传感器模块和 ADAS 系统。其 0603 小型化封装不仅节省 PCB 空间，还具有良好的可焊性和机械强度，支持自动化贴片生产。

B41858C4158M000 主要应用于对电容稳定性、精度和高频性能有严格要求的电子系统中。在射频（RF）和无线通信领域，它常用于天线匹配网络、功率放大器输出匹配、低噪声放大器输入耦合以及 RF 滤波器中，利用其稳定的电容值和低损耗特性来优化信号传输效率和系统增益。在高频振荡器电路（如 VCO、TCXO、PLL 频率合成器）中，该电容器用于构成 LC 谐振回路，其 C0G 特性确保频率漂移最小，提高系统时钟精度。
　　在精密模拟电路中，该器件适用于积分器、采样保持电路、高阶滤波器等需要长期稳定电容值的场合。其低漏电流和高绝缘电阻使其成为高阻抗传感器信号调理电路的理想选择。在汽车电子方面，该电容器可用于发动机控制单元（ECU）、车载雷达、摄像头模块和车载网络接口，提供可靠的去耦和滤波功能。此外，在工业控制、医疗设备和测试测量仪器中，B41858C4158M000 也广泛用于电源旁路、噪声抑制和信号耦合，确保系统在复杂电磁环境下的稳定运行。其符合 RoHS 和 AEC-Q200 标准，进一步扩展了其在环保和高可靠性应用中的适用范围。

C1608X5R1H151K