时间：2025/11/7 19:45:52
阅读：5
UDZSTFTE-175.6B是一款由ROHM（罗姆）公司生产的齐纳二极管（Zener Diode），属于表面贴装型小型化器件，采用SOD-523封装。该器件主要用于电压参考、电压钳位以及电路保护等应用场合。其标称齐纳电压为5.6V，在额定工作电流下能够提供稳定的反向击穿电压特性。由于采用了先进的半导体制造工艺，该器件具备良好的电压精度和温度稳定性，适用于对空间要求严格且需要高可靠性的便携式电子设备。此外，该型号具有低功耗、快速响应和高可靠性等特点，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制及电源管理等领域。
类型：齐纳二极管
封装：SOD-523
齐纳电压（Vz）：5.6V @ 5mA
容差：±5%
最大耗散功率：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
反向工作电流（Iz）：5mA 标准
动态阻抗（Zzt）：≤35Ω @ 5mA
温度系数：+2mV/°C（典型值）
峰值脉冲功率：500mW（短时）
UDZSTFTE-175.6B齐纳二极管具备优异的电气性能和热稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的电压参考能力。其核心特性之一是精确的电压调节能力，标称齐纳电压为5.6V，并在标准测试条件（Iz = 5mA）下具有±5%的容差控制，确保在精密电路中实现可靠的电压基准。该器件的动态阻抗较低（典型值≤35Ω），意味着在负载变化时输出电压波动小，有助于提升系统的稳定性和抗干扰能力。
该器件采用SOD-523超小型表面贴装封装，尺寸仅为约1.2 x 0.8 x 0.65mm，适合高密度PCB布局，特别适用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对体积敏感的应用场景。同时，其热设计优化良好，可在高达+150°C的结温下长期工作，具备出色的耐热性能。
UDZSTFTE-175.6B还表现出优良的温度系数特性，5.6V附近的齐纳二极管通常处于齐纳击穿与雪崩击穿的过渡区域，因此温度系数接近最小值，约为+2mV/°C，这使得其在环境温度变化较大的情况下仍能维持较稳定的电压输出，减少外部补偿电路的需求。
该器件符合RoHS环保要求，并通过AEC-Q101车规级可靠性认证，不仅可用于消费电子，也可用于汽车电子系统中的传感器供电、MCU参考电压或接口电平钳位等关键部位。其高可靠性、小尺寸和稳健的电气特性使其成为现代电子设计中理想的电压参考解决方案之一。
该齐纳二极管广泛应用于需要稳定电压参考的小信号电路中，例如作为模拟电路中的基准电压源、运算放大器偏置电路、ADC/DAC参考点等。在电源管理系统中，常用于低压稳压、过压保护和电压钳位，防止瞬态电压冲击损坏后续敏感元件。此外，在通信接口电路（如USB、I2C、UART）中，可用于ESD防护和电平整形，提高系统抗干扰能力。
在便携式设备中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中，因其小型化封装和低功耗特性，被广泛用于电池电压监测、LDO辅助稳压或LED驱动电路中的电压设定。在工业控制领域，可用于PLC模块、传感器信号调理电路中的电压限幅和基准生成。
由于其通过AEC-Q101认证，也适用于汽车电子应用，包括车载信息娱乐系统、车身控制模块、车载照明驱动和发动机控制单元中的电压参考与保护电路。此外，在医疗电子设备、测量仪器和智能家居控制器中也有广泛应用。
