类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：100 A
　　最大漏源电压 (VDS)：20 V
　　导通电阻 (RDS(on))：10 mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷 (Qg)：45 nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　

UPF21010F 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。其采用的沟槽栅技术优化了开关性能，减少了开关损耗。UPF21010F 还具备较高的热稳定性和耐久性，适合在高温环境下运行。此外，该 MOSFET 的封装设计提供了良好的散热性能，使得热量可以更有效地散发，从而提高可靠性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在 4.5V 至 20V 之间，适用于多种驱动电路配置。UPF21010F 在设计上还考虑了短路保护和过热保护的兼容性，使其能够在严苛的应用环境中保持稳定运行。由于其出色的电气和热性能，UPF21010F 在汽车电子、工业自动化和高功率消费类电子产品中得到了广泛应用。

UPF21010F 主要应用于需要高电流和高效能的功率电子系统。常见的使用场景包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统以及汽车电子系统（如电动助力转向系统和车载充电器）。此外，该器件也适用于电源管理和负载开关应用，例如服务器电源、UPS（不间断电源）和工业控制系统。其紧凑的封装和优异的热性能使其非常适合在空间受限和高功率密度要求的环境中使用。

IPD120N20N3, FDP100N20, STD100N20F7