时间：2025/8/13 10:38:27
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UDZS7.5BT1G 是一款由ON Semiconductor生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和保护电路中。该器件具有稳定且精确的齐纳电压，适合在需要稳定参考电压的各类电子设备中使用。UDZS7.5BT1G采用SOD-123小型封装，具有较高的稳定性和可靠性。
类型：齐纳二极管
齐纳电压：7.5V（标称值）
功率耗散：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOD-123
最大反向电流：5mA
最大正向电压降：1V
最大齐纳阻抗：10Ω
UDZS7.5BT1G 的齐纳电压精度高，典型值为±5%，适用于对电压稳定性要求较高的电路设计。其采用的SOD-123封装结构紧凑，节省空间，便于在高密度PCB布局中使用。
该器件具有良好的温度稳定性和长期可靠性，能够在广泛的温度范围内保持稳定的电压调节性能。此外，UDZS7.5BT1G 的低动态阻抗有助于减小电压波动，提高系统的整体稳定性。
在应用中，该齐纳二极管可以用于电压参考、稳压电源、过压保护电路以及信号调节电路。其低功耗设计也使其适用于电池供电设备和便携式电子产品。
UDZS7.5BT1G 常用于电源管理电路中作为电压参考或稳压元件。它适用于各类消费类电子产品，如手机、平板电脑、智能穿戴设备等。此外，该器件也广泛应用于工业控制系统、仪表仪器、传感器电路以及DC-DC转换器中，用于提供精确的电压基准或实现过压保护功能。
UDZTE-1-F 7.5B, BZT52C7V5, MMSZ5239B-7-F
