容量：128 Mbit (16 MB)
　　组织结构：16,777,216 字节 x 8
　　接口类型：SPI / Quad SPI
　　时钟频率：最高支持 133 MHz (Quad IO)
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：8-Pin SOIC 或 WSON
　　读取电流：典型值 12 mA（连续读取）
　　编程/擦除电流：典型值 25 mA
　　待机电流：典型值 15 μA
　　编程时间：页编程平均 0.7 ms
　　擦除时间：扇区擦除 0.6 s，芯片擦除 220 s
　　耐久性：100,000 次编程/擦除周期
　　数据保持：20 年

S25FS128SAGNFI000 具备多项先进特性，使其在同类串行闪存产品中脱颖而出。首先，其基于 MirrorBit 技术的存储单元设计，利用氮化物层中的两个独立电荷存储点来表示一位数据，不仅提高了单元密度，还增强了数据的可靠性和抗干扰能力。这种技术使得在相同工艺节点下实现更高的存储容量成为可能，同时降低了单位比特的成本。其次，该器件支持多种读取模式，包括标准 SPI、Dual Output、Dual I/O、Quad Output 和 Quad I/O 模式，在 Quad I/O 模式下可实现等效于 532 Mbps 的吞吐率，极大提升了系统启动速度和实时数据访问效率。此外，S25FS128S 提供灵活的扇区架构，包含 256 个 64KB 的块和 1024 个 4KB 的小扇区，允许用户精细地管理存储空间，特别适合需要频繁更新小量数据的应用场景。该芯片内置增强型写保护功能，可通过状态寄存器设置 SPRL 位锁定配置，防止误操作导致固件损坏；同时支持 VPP 加速编程功能，加快写入过程。另一个重要特性是其符合环保标准，采用无铅、无卤素材料制造，符合 RoHS 指令要求，并提供湿敏等级 MSL3 认证，适用于自动化表面贴装工艺。器件还具备上电复位（Power-on Reset）电路和内部定时控制逻辑，确保在电源不稳定或上电过程中不会发生异常操作。此外，它支持 JEDEC 标准 ID 读取指令，便于主机识别厂商信息和设备型号，提升系统的兼容性和可维护性。最后，该器件经过严格测试，具备出色的抗辐射和抗噪声性能，适用于工业和汽车级应用环境。
　　值得一提的是，S25FS128SAGNFI000 集成了高级安全功能，例如软停止（Soft Stop）命令，可在紧急情况下中断正在进行的编程或擦除操作，避免数据损坏。其状态寄存器提供详细的运行状态反馈，包括写使能锁存、忙标志、保护设置等，便于主机进行流程控制。整体而言，这些特性共同构成了一个高效、可靠且易于集成的非易失性存储解决方案，能够满足现代嵌入式系统对性能、耐用性和安全性的综合需求。

S25FS128SAGNFI000 被广泛应用于多个高可靠性要求的领域。在工业自动化中，常用于 PLC 控制器、HMI 人机界面、工业网关等设备中存储操作系统、配置参数和固件代码，其宽温特性和抗干扰能力确保在恶劣工厂环境中稳定运行。在网络通信设备如路由器、交换机、光模块中，该芯片用于存放引导程序（Bootloader）、FPGA 配置码和网络协议栈，支持快速启动和远程固件升级（FOTA）。在汽车电子方面，尽管不属于 AEC-Q100 认证系列，但其工业级版本仍可用于车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统（IVI）的辅助存储或仪表盘显示单元中，用于保存校准数据和用户设置。消费类电子产品如智能电视、机顶盒、打印机和智能家居中枢也普遍采用该器件作为主控 MCU 的外部代码存储器。此外，在医疗设备、测试仪器和航空航天地面控制系统中，因其长期数据保持能力和高耐久性，被用来记录关键日志和诊断信息。得益于其小封装和低引脚数优势，该芯片非常适合空间受限的便携式设备设计。同时，其支持 XIP（eXecute In Place）功能，允许处理器直接从 Flash 中执行代码，减少对 RAM 的依赖，优化系统资源分配。结合其稳定的供货周期和成熟的生态系统，S25FS128SAGNFI000 成为许多 OEM 厂商首选的串行 NOR Flash 解决方案之一。

S25FL128LAFNFI010
　　S25FS064SAGNFI000
　　MT25QL128ABA1EW7
　　IS25LP128D-FNIQ