类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时≤2.8mΩ，@Vgs=4.5V时≤4.0mΩ
　　功耗（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

CRSK060N04N2Z 采用先进的沟槽型功率MOSFET工艺，具有极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　该器件的栅极氧化层设计优化，具有良好的栅极稳定性，支持在宽电压范围内稳定工作，并具备较强的抗过压能力。
　　其TO-252封装形式具备良好的散热性能，适用于中高功率应用，同时便于PCB布局与散热管理。
　　CRSK060N04N2Z 具有高雪崩耐量和良好的短路耐受能力，适用于对可靠性要求较高的工业与汽车电子应用。
　　此外，该MOSFET具备快速开关特性，能够满足高频开关电源和同步整流器的应用需求，有助于减小外围电路体积并提升整体性能。

CRSK060N04N2Z 主要适用于各类电源转换设备，如AC-DC适配器、DC-DC降压/升压变换器、同步整流器等。
　　在电动工具、电池管理系统（BMS）、电动车控制器、电源管理模块以及负载开关电路中也有广泛应用。
　　由于其低导通电阻和良好的热稳定性，特别适合用于高效率、高功率密度的电源系统设计中。
　　在工业控制和通信设备中，该器件也常用于功率开关、电机驱动、继电器替代以及LED驱动等场景。

SiSS66TN10, STP60NF04L, IRF1404, IPD60N04S4-03