HSMP-3830-TR2G是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的表面贴装肖特基二极管对,适用于高频和高速开关应用。该器件采用SOT-23封装,具有低正向压降和快速恢复时间,非常适合用于检波器、混频器、开关电路以及射频(RF)信号处理等领域。HSMP-3830-TR2G由两个独立的肖特基二极管组成,采用共阴极配置,便于在各种模拟和射频电路中集成。
制造商: ON Semiconductor
产品类型: 肖特基二极管对
封装类型: SOT-23
配置: 共阴极双二极管
最大正向电流(IF): 20 mA
峰值反向电压(VRM): 20 V
正向压降(IF=10mA时): 最大0.35 V
反向漏电流(VR=20V时): 最大100 nA
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
存储温度范围: -65°C 至 +150°C
HSMP-3830-TR2G具有多项优异的电气和物理特性,使其在高频和低功耗应用中表现出色。首先,该器件采用肖特基势垒结构,使得正向压降低至0.35V,显著降低了功耗并提高了电路效率。其次,其快速恢复时间确保了在高频信号处理中的稳定性,适用于高达GHz级别的射频应用。
此外,HSMP-3830-TR2G的共阴极双二极管结构设计使其非常适合用于混频器、检波器和调制解调电路中,提供一致的电气性能和热稳定性。每个二极管之间的匹配度高,减少了温度漂移和信号失真。
在可靠性方面,HSMP-3830-TR2G具有良好的热稳定性和抗静电能力,能够在极端温度环境下稳定工作。SOT-23封装不仅体积小巧,适合高密度PCB布局,还具有良好的机械强度和焊接可靠性,适用于自动贴片工艺。
该器件还具有极低的电容特性,在高频应用中减少了信号损耗和干扰,确保信号的完整性。同时,其低反向漏电流特性有助于提高电路的稳定性和长期可靠性。
HSMP-3830-TR2G广泛应用于射频和微波电路中,如射频检波器、混频器、调制解调器、功率检测器以及高速开关电路。由于其低正向压降和高频响应能力,该器件特别适合用于通信设备中的信号处理模块,包括无线基站、射频识别(RFID)系统、卫星通信设备以及测试测量仪器。
在消费类电子产品中,HSMP-3830-TR2G可用于无线充电电路、蓝牙模块、Wi-Fi射频前端以及其他需要高效信号整流和处理的应用。此外,其高可靠性和小尺寸封装也使其成为汽车电子系统中射频模块的理想选择,例如车载导航、远程信息处理系统和无线胎压监测系统。
HSMS-2850, HSMS-2860, BB406